[实用新型]一种用于碱性蚀刻液循环再生装置有效
申请号: | 201821277082.4 | 申请日: | 2018-08-09 |
公开(公告)号: | CN208776842U | 公开(公告)日: | 2019-04-23 |
发明(设计)人: | 向可阳;易青青;孙铁浩;石远林 | 申请(专利权)人: | 深圳晶恒宇环境科技有限公司 |
主分类号: | C23F1/46 | 分类号: | C23F1/46 |
代理公司: | 南京鼎傲知识产权代理事务所(普通合伙) 32327 | 代理人: | 周正雄 |
地址: | 518104 广东省深圳*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 过滤箱 碱性蚀刻液 调配箱 循环再生装置 连接管 循环管 本实用新型 蚀刻液回收 废液排放 国家要求 内部设置 循环再生 电解箱 过滤板 开关阀 体积小 添加板 液位窗 智能化 水泵 回收 | ||
本实用新型公开了一种用于碱性蚀刻液循环再生装置,包括过滤箱、水泵、液位窗、电解箱、调配箱,所述过滤箱内部设置有过滤板,所述过滤箱一侧设置有循环管,所述循环管上方设置有开关阀,所述过滤箱后方设置有连接管,所述连接管远离所述过滤箱的一侧设置有所述调配箱,所述调配箱上方设置有添加板。有益效果在于:体积小,占地面积小,回收效率更高,智能化程度更高,适用于多种碱性蚀刻液的循环再生工作,废液排放达到国家要求标准,有利于保护环境,操作方式简便,使用更加便捷,蚀刻液回收效果更好,适合大面积推广使用。
技术领域
本实用新型涉及碱性刻蚀液循环设备领域,特别是涉及一种用于碱性蚀刻液循环再生装置。
背景技术
刻蚀技术(etching technique),是在半导体工艺,按照掩模图形或设计要求对半导体衬底表面或表面覆盖薄膜进行选择性腐蚀或剥离的技术。刻蚀技术不仅是半导体器件和集成电路的基本制造工艺,而且还应用于薄膜电路、印刷电路和其他微细图形的加工,碱性刻蚀液是刻蚀技术中常用的加工介质,蚀刻废液通常作为工业废料进行处理,对于环境破坏较大,传统碱性蚀刻液处理再生设备实用性较差。
对比申请号为201620021445.2的中国专利,公开了一种蚀刻液回收循环利用装置,包括油水分离器,所述油水分离器包括三个腔室,分别为第一腔室、第二腔室和第三腔室;第一腔室内设置有带搅拌电机的搅拌叶,第一腔室的一侧上部设置有液体进口,第一腔室的一侧下部设置有蚀刻废液进口,第一腔室的另一侧设置有混合液溢流口,第一腔室与第二腔室通过混合液溢流口相连通,混合液溢流口位于第二腔室的一侧,第二腔室的另一侧上部设置有与其相连通的溢流腔室,溢流腔室的顶部进液高度比混合液溢流口的出口高度低,油相出口与溢流腔室的底部相连通,第二腔室的底部与第三腔室的底部通过液通道相连通,出液管道的一端伸入第三腔室内并开口于第三腔室的中上部,上述专利的处理过程较为繁琐,实用性较低,蚀刻液回收处理能力较弱,本实用新型采取的设计具有体积小,占地面积小,回收效率更高,智能化程度更高的优点。
实用新型内容
本实用新型的目的就在于为了解决上述问题而提供一种用于碱性蚀刻液循环再生装置,本实用新型使用电解技术进行蚀刻液的回收,智能化程度更高,回收效率更高,有利于保护环境。
本实用新型通过以下技术方案来实现上述目的:
一种用于碱性蚀刻液循环再生装置,包括过滤箱、水泵、液位窗、电解箱、调配箱,所述过滤箱内部设置有过滤板,所述过滤箱一侧设置有循环管,所述循环管上方设置有开关阀,所述开关阀型号为DN65,所述过滤箱后方设置有连接管,所述连接管远离所述过滤箱的一侧设置有所述调配箱,所述调配箱上方设置有添加板,所述添加板前方设置有挡板,所述调配箱远离所述开关阀的一侧设置有所述电解箱,所述电解箱内部设置有电解槽,所述电解箱远离所述调配箱的一侧设置有调整箱,所述调整箱前方设置有冷却槽,所述调整箱远离所述电解箱的一侧设置有所述水泵,所述水泵型号为50GW25,所述水泵远离所述调整箱的一侧设置有搅拌箱,所述搅拌箱上方设置有电动机,所述电动机型号为Y250M2,所述电动机下方的所述搅拌箱内部设置有搅拌杆,所述搅拌箱远离所述调整箱的一侧设置有储存箱,所述储存箱前方设置有所述液位窗,所述储存箱顶部设置有控制面板,所述储存箱远离所述搅拌箱的一侧设置有进液管,所述控制面板与所述水泵和所述电动机通过电连接。
进一步设置:所述过滤箱与所述过滤板通过螺钉连接,所述过滤箱与所述循环管通过卡箍连接。
如此设置,在所述过滤板的过滤作用下,将蚀刻液中的废料进行过滤。
进一步设置:所述循环管与所述开关阀通过法兰连接,所述过滤箱与所述连接管通过卡箍连接,所述连接管与所述调配箱通过卡箍连接。
如此设置,使用所述开关阀控制所述循环管的开闭,有效避免蚀刻液的泄露。
进一步设置:所述调配箱与所述添加板通过螺栓连接,所述添加板与所述挡板通过滑槽连接。
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