[实用新型]一种过压保护电路有效
| 申请号： | 201821277757.5 | 申请日： | 2018-08-09 |
| 公开（公告）号： | CN208479167U | 公开（公告）日： | 2019-02-05 |
| 发明（设计）人： | 陈孝金;周厚屹 | 申请（专利权）人： | 深圳市宇芯数码技术有限公司 |
| 主分类号： | H02H3/20 | 分类号： | H02H3/20 |
| 代理公司： | 深圳市鼎智专利代理事务所(普通合伙) 44411 | 代理人： | 徐永雷 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市宝安区新安街道留*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电阻 稳压管 增强型 过压保护电路 本实用新型 电阻连接 接地 源极 电源 发射极连接 集电极连接 电源连接 电子设备 基极连接 耐电流 耐电压 漏极 | ||
【权利要求书】：
1.一种过压保护电路，所述过压保护电路的输入端与电源连接、输出端与电子设备连接；其特征在于，所述过压保护电路包括：
第一电阻、稳压管、第二电阻、PNP三极管、第三电阻、增强型PMOS管和第四电阻；
所述第一电阻的一端与电源连接、另一端与稳压管连接，所述稳压管的另一端接地；
所述增强型PMOS管的源极、漏极、栅极与分别与电源、电子设备、第四电阻连接，所述第四电阻连接另一端接地；
所述PNP三极管的发射极连接于电源与增强型PMOS管的源极之间，所述PNP三极管的基极连接于第一电阻与稳压管之间，所述PNP三极管的集电极连接于增强型PMOS管的栅极与第四电阻；
所述第二电阻连接在PNP三极管的基极上，所述第三电阻的一端与PNP三极管的发射极连接、另一端与PNP三极管的集电极连接。
2.根据权利要求1所述的过压保护电路，其特征在于，所述PNP三极管的型号为2N3906，所述增强型PMOS管的型号为AO3407。
3.根据权利要求1所述的过压保护电路，其特征在于，所述过压保护电路的输入端与地之间连接有第一电容，所述过压保护电路的输出端与地之间连接有第二电容。
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