[实用新型]一种欠压保护电路有效
| 申请号： | 201821277793.1 | 申请日： | 2018-08-09 |
| 公开（公告）号： | CN208479168U | 公开（公告）日： | 2019-02-05 |
| 发明（设计）人： | 陈孝金;周厚屹 | 申请（专利权）人： | 深圳市宇芯数码技术有限公司 |
| 主分类号： | H02H3/24 | 分类号： | H02H3/24 |
| 代理公司： | 深圳市鼎智专利代理事务所(普通合伙) 44411 | 代理人： | 徐永雷 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市宝安区新安街道留*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电阻 复位芯片 欠压保护电路 本实用新型 管脚连接 接地 增强型 发射极接地 集电极连接 电源连接 电阻连接 耐电流 耐电压 漏极 源极 马达 电源 | ||
【权利要求书】：
1.一种欠压保护电路，所述欠压保护电路的输入端与电源连接、输出端与带马达的设备连接；其特征在于，所述欠压保护电路包括：
第一电阻、第二电阻、第三电阻、增强型PMOS管、NPN三极管、第四电阻、复位芯片和第五电阻；
所述第一电阻的一端与电源连接、另一端与第五电阻连接，所述第五电阻的另一端接地；
所述增强型PMOS管的源极、漏极、栅极与分别与电源、带马达的设备、NPN三极管的集电极连接，所述NPN三极管的发射极接地；
所述复位芯片的VOUT管脚连接于NPN三极管的基极，所述复位芯片的VIN管脚连接于第一电阻与第五电阻之间，所述复位芯片的GND管脚接地；
所述第四电阻连接在复位芯片的VOUT管脚与NPN三极管的基极之间；
所述第二电阻连接在增强型PMOS管的源极与NPN三极管的基极之间；
所述第三电阻连接在增强型PMOS管的源极与增强型PMOS管的栅极之间。
2.根据权利要求1所述的欠压保护电路，其特征在于，所述增强型PMOS管的型号为AO3407，所述NPN三极管的型号为MMBT3904，复位芯片的型号为XC61CC4002MR。
3.根据权利要求1所述的欠压保护电路，其特征在于，所述复位芯片的VIN管脚与地之间连接有一电容。
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