[实用新型]一种IPA补给系统

说明书

本实用新型提供一种IPA补给系统包括：第一储液罐，所述第一储液罐与机台相连接，用于向所述机台供应IPA溶液；第二储液罐，所述第二储液罐位于所述第一储液罐的上方，所述第二储液罐与加料装置相连接，用于为所述第一储液罐储备所述IPA溶液；控制阀，位于所述第一储液罐及所述第二储液罐之间，并与所述第一储液罐及第二储液罐相连接。使得晶圆干燥制成稳定以及提高机台产出率。

技术领域

本实用新型属于半导体制造领域，涉及一种IPA补给系统。

背景技术

晶圆制造中，随着制程技术的升级、器件的小型化，光刻技术对晶圆表面的平坦程度(Non-uniformity)的要求越来越高，现有的晶圆平坦方法包括：化学研磨、机械研磨以及化学机械研磨。单纯的化学研磨，表面精度较高，损伤低，完整性好，不容易出现表面/亚表面损伤，但是研磨速率较慢，材料去除效率较低，不能修正表面型面精度，研磨一致性比较差；单纯的机械研磨，研磨一致性好，表面平整度高，研磨效率高，但是容易出现表面层/亚表面层损伤，表面粗糙度值比较低。化学机械研磨(CMP，Chemical Mechanical Polish)综合了化学研磨和机械研磨的优势，可以在保证材料去除效率的同时，获得较完美的表面，得到的平整度比使用单纯的机械研磨或化学研磨要高出1-2个数量级，并且可以实现纳米级到原子级的表面粗糙度，因此自1995年以后，CMP技术得到了快速发展，大量应用于半导体产业。

CMP亦称为化学机械抛光，其原理是化学腐蚀作用和机械去除作用相结合的加工技术，是目前机械加工中唯一可以实现表面全局平坦化的技术。CMP过程需要IPA溶液(异丙醇)对晶圆进行干燥，如图1所示，显示为现有技术中的一种IPA补给系统，包括IPA储液罐100、称重设备200、机台300及加料装置400，机台300及加料装置400通过管道500相连接，但用于储存IPA溶液的IPA储液罐100只有一个，由称重设备200来检测IPA储液罐100的质量，当IPA储液罐100中的IPA溶液的质量下降到一定量时，需要对IPA储液罐100中的IPA溶液通过加料装置400进行补给，由于加料装置400在向IPA储液罐100补给IPA溶液时，IPA储液罐100中的IPA溶液不稳定，且由于储存IPA溶液的IPA储液罐100只有一个，需通过IPA储液罐100为机台300供应IPA溶液，为了避免由于供机台300使用的IPA溶液的不稳定，通常需将机台300调制到待机状态，直到IPA储液罐100中的IPA溶液补给完成，因此造成了晶圆干燥制成不稳定以及机台300产出率的下降。

基于以上所述，提供一种IPA补给系统以解决现有技术中在向IPA储液罐补给IPA溶液时，由于IPA储液罐中的IPA溶液不稳定，造成需将机台调制到待机状态，直到IPA储液罐中的IPA溶液补给完成，使得晶圆干燥制成不稳定以及机台产出率下降的问题实属必要。

实用新型内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本实用新型的目的在于提供一种IPA补给系统，用于解决现有技术中在向IPA储液罐补给IPA溶液时，由于IPA储液罐中的IPA溶液不稳定，造成需将机台调制到待机状态，直到IPA储液罐中的IPA溶液补给完成，使得晶圆干燥制成不稳定以及机台产出率下降的问题。

为实现上述目的及其他相关目的，本实用新型提供一种IPA补给系统，包括：

第一储液罐，所述第一储液罐与机台相连接，用于向所述机台供应IPA溶液；

第二储液罐，所述第二储液罐位于所述第一储液罐的上方，所述第二储液罐与加料装置相连接，用于为所述第一储液罐储备所述IPA溶液；

控制阀，位于所述第一储液罐及所述第二储液罐之间，并与所述第一储液罐及第二储液罐相连接。

可选的，所述控制阀包括电磁阀及气动阀中的一种或组合。

可选的，所述第一储液罐及第二储液罐具有概呈相同的形貌。

可选的，所述第一储液罐的底部通过管道与所述机台相连接。