[实用新型]集成芯片封装结构的多芯片埋入式封装模块结构

权利要求书

1.一种集成芯片封装结构的多芯片埋入式封装模块结构，其特征在于，包括：

封装基板，具有相对设置的基板上表面及基板下表面，所述封装基板的一侧具有若干外部引脚；

功能芯片，设置于所述封装基板，所述功能芯片具有相对设置的第一上表面及第一下表面，且所述功能芯片具有若干第一电极；

芯片封装结构，设置于所述封装基板，所述芯片封装结构具有第一互连结构；

若干第二互连结构，用于导通若干第一电极、第一互连结构及若干外部引脚；

其中，所述封装基板具有容纳所述功能芯片的第一腔室及容纳所述芯片封装结构的第二腔室。

2.根据权利要求1所述的多芯片埋入式封装模块结构，其特征在于，所述芯片封装结构包括：

子封装基板，具有相对设置的子基板上表面及子基板下表面；

滤波器芯片，设置于所述子封装基板的上方，所述滤波器芯片具有相对设置的第二上表面及第二下表面，所述第二下表面与所述子基板上表面面对面设置，且所述滤波器芯片具有若干第二电极；

其中，所述第一互连结构连通所述第二电极，且所述芯片封装结构暴露出所述第一互连结构。

3.根据权利要求2所述的多芯片埋入式封装模块结构，其特征在于，所述芯片封装结构还包括围堰，所述围堰与所述第二下表面及所述子基板上表面配合而围设形成空腔。

4.根据权利要求3所述的多芯片埋入式封装模块结构，其特征在于，所述子封装基板具有若干通孔，所述围堰包括第一围堰及第二围堰，所述第一围堰位于所述通孔的内侧，所述第一围堰与所述第二下表面及所述子基板上表面配合而围设形成空腔，所述第二围堰位于所述通孔的外侧。

5.根据权利要求4所述的多芯片埋入式封装模块结构，其特征在于，所述第二围堰朝远离所述第一围堰的方向延伸直至所述第二围堰的外侧缘与所述子封装基板的外侧缘齐平。

6.根据权利要求4所述的多芯片埋入式封装模块结构，其特征在于，所述芯片封装结构还包括位于所述子封装基板远离所述子基板下表面的一侧的第一塑封层，所述第一塑封层同时包覆所述第二围堰暴露在外的上表面区域及所述滤波器芯片。

7.根据权利要求2所述的多芯片埋入式封装模块结构，其特征在于，所述子封装基板具有若干通孔，所述第二电极位于所述第二下表面，所述第一互连结构为金属层，所述金属层充填所述通孔内部区域并往所述子基板下表面方向延伸，且所述芯片封装结构还包括设置于所述子基板下表面且暴露出所述金属层的第一绝缘层。

8.根据权利要求1所述的多芯片埋入式封装模块结构，其特征在于，所述基板下表面的一侧具有若干外部引脚，所述第一电极位于所述第一下表面，所述第一互连结构位于所述芯片封装结构的下方，所述第二互连结构包括第一下重布线层，所述第一下重布线层连通所述第一互连结构、所述第一电极，且所述第一下重布线层往所述基板下表面方向延伸。

9.根据权利要求8所述的多芯片埋入式封装模块结构，其特征在于，所述多芯片埋入式封装模块结构还包括设置于所述基板下表面及所述第一下重布线层之间的第二绝缘层、包覆所述第二绝缘层及所述第一下重布线层的第三绝缘层、经过所述第三绝缘层的孔洞导通所述第一下重布线层并往所述第三绝缘层的下表面方向延伸的第二下重布线层以及包覆所述第三绝缘层及所述第二下重布线层的第四绝缘层，所述外部引脚连接所述第二下重布线层，且所述第四绝缘层暴露所述外部引脚。

10.根据权利要求1所述的多芯片埋入式封装模块结构，其特征在于，所述多芯片埋入式封装模块结构还包括位于所述封装基板远离所述基板下表面的一侧的第二塑封层，所述第二塑封层同时包覆所述芯片封装结构及所述功能芯片。