[实用新型]P型晶体硅PERC电池有效
| 申请号： | 201821293486.2 | 申请日： | 2018-08-10 |
| 公开（公告）号： | CN208797019U | 公开（公告）日： | 2019-04-26 |
| 发明（设计）人： | 李宏伟;何胜;单伟;周盛永 | 申请（专利权）人： | 浙江正泰太阳能科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/068 | 分类号： | H01L31/068;H01L31/056;H01L31/0216;H01L31/0224 |
| 代理公司： | 北京元合联合知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11653 | 代理人： | 李非非;杨兴宇 |
| 地址： | 310053 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电池 减反射层 背面 硅片背面 硅片正面 钝化层 硅片 外设 背面金属电极 正面金属电极 本实用新型 电池效率 钝化结构 多晶硅层 光滑平整 正面复合 反射率 隧穿层 织构化 外部 光滑 减小 探出 穿透 复合 | ||
1.一种P型晶体硅PERC电池，其特征在于，该电池包括：
P型晶体硅片，该P型晶体硅片具有织构化的正面和光滑的背面；
设置于P型晶体硅片正面内部的PN结结构层；由内至外设置于P型晶体硅片正面外部的隧穿层、多晶硅层和正面减反射层，以及与P型晶体硅片正面接触并探出正面减反射层的正面金属电极；
由内至外设置于P型晶体硅片背面外部的钝化层和背面减反射层，以及与P型晶体硅片背面接触并穿透钝化层和背面减反射层的背面金属电极。
2.如权利要求1所述的P型晶体硅PERC电池，其特征在于：所述织构化的正面为金字塔绒面或倒金字塔绒面。
3.如权利要求1所述的P型晶体硅PERC电池，其特征在于：所述PN结结构层的方阻为60Ω/□-150Ω/□。
4.如权利要求1所述的P型晶体硅PERC电池，其特征在于：所述隧穿层为二氧化硅隧穿层。
5.如权利要求1所述的P型晶体硅PERC电池，其特征在于：所述隧穿层的厚度为0.5nm-2nm，所述多晶硅层的厚度为5nm-25nm。
6.如权利要求1所述的P型晶体硅PERC电池，其特征在于：所述正面减反射层和背面减反射层为氮化硅层。
7.如权利要求1所述的P型晶体硅PERC电池，其特征在于：所述正面减反射层的厚度为60nm-90nm，所述背面减反射层的厚度为100nm-150nm。
8.如权利要求1所述的P型晶体硅PERC电池，其特征在于：所述正面减反射层的折射率为2.0-2.3。
9.如权利要求1所述的P型晶体硅PERC电池，其特征在于：所述正面金属电极为银电极。
10.如权利要求1所述的P型晶体硅PERC电池，其特征在于：所述钝化层为氧化铝钝化层，所述氧化铝钝化层的厚度为4nm-15nm。
11.如权利要求1所述的P型晶体硅PERC电池，其特征在于：所述背面金属电极为铝电极，所述铝电极的宽度为20um-100um。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
