[实用新型]一种低成本碳化硅肖特基二极管芯片有效
| 申请号： | 201821301411.4 | 申请日： | 2018-08-13 |
| 公开（公告）号： | CN208706656U | 公开（公告）日： | 2019-04-05 |
| 发明（设计）人： | 李东华;杨晓亮;宋迎新;单维刚 | 申请（专利权）人： | 济南晶恒电子有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L29/16 | 分类号： | H01L29/16;H01L21/329;H01L29/872 |
| 代理公司： | 济南诚智商标专利事务所有限公司 37105 | 代理人： | 杨先凯 |
| 地址： | 250014 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 外延层 光刻胶 肖特基二极管芯片 层状金属 电极 低成本 碳化硅 衬底 环状聚酰亚胺 肖特基金属层 退火 高能离子 高温激活 生产效率 钝化层 再生长 覆盖 刻蚀 去除 背面 生长 申请 | ||
1.一种低成本碳化硅肖特基二极管芯片，其特征在于，包括背面层状金属电极、正面层状金属电极、衬底、外延层一、P型保护环、肖特基金属层、环状钝化层以及环状聚酰亚胺膜；
所述背面层状金属电极、衬底以及外延层一从下往上依次叠加，所述衬底的上表面上设置有外延层一，所述衬底的下表面上淀积设置有所述背面层状金属电极；
所述P型保护环设置在所述外延层一的上表面上，所述P型保护环位于所述外延层一的外部；
所述外延层一的且位于所述P型保护环的环内的上表面上淀积设置有所述肖特基金属层，所述肖特基金属层与所述P型保护环的内侧向环面接触；
所述环状钝化层设置在所述外延层一的上表面上且所述环状钝化层的下环状表面的内圈遮盖所述P型保护环的上环状表面的外圈；
所述正面层状金属电极覆盖着所述肖特基金属层的上表面以及所述P型保护环的上环状表面的内圈；
所述环状聚酰亚胺膜覆盖着所述正面层状金属电极与所述钝化层的对接缝处。
2.根据权利要求1所述的碳化硅肖特基二极管芯片，其特征在于，所述正面层状金属电极为Al金属层或Au金属层。
3.根据权利要求1所述的碳化硅肖特基二极管芯片，其特征在于，所述背面层状金属电极包括从上到下依次叠加的欧姆接触层、Ni金属层与Ag金属层，所述欧姆接触层为金属镍层，厚度为200nm到300nm。
4.根据权利要求1所述的碳化硅肖特基二极管芯片，其特征在于，所述环状钝化层为二氧化硅层或氮化硅层。
5.根据权利要求1所述的碳化硅肖特基二极管芯片，其特征在于，所述肖特基金属层为肖特基金属钼层。
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