[实用新型]电子电路和电子熔断器

权利要求书

1.一种电子电路，其特征在于，包括：

放大器，具有被配置为耦合到功率开关的控制端子的输出；以及

斜坡发生器电路，具有耦合到所述放大器的输出和被配置为耦合到软启动电容器的输入，其中所述斜坡发生器电路被配置为：

在保持所述斜坡发生器电路的输出处于第一电压的同时，确定所述软启动电容器是否电连接到所述斜坡发生器电路，

如果所述斜坡发生器电路确定所述软启动电容器电连接到所述斜坡发生器电路并且所述软启动电容器具有大于第一电容的电容，则向所述斜坡发生器电路的输入中注入第一电流，以在所述斜坡发生器电路的输出处生成第一电压斜坡，所述第一电压斜坡开始于所述第一电压处并且结束于第二电压处，以及

如果所述斜坡发生器电路确定所述软启动电容器没有电连接到所述斜坡发生器电路或者所述软启动电容器具有小于所述第一电容的电容，则向所述斜坡发生器电路的输入注入第二电流，以在所述斜坡发生器电路的输出处生成第二电压斜坡，所述第二电流小于所述第一电流，所述第二电压斜坡开始于所述第一电压处并且结束于所述第二电压处。

2.根据权利要求1所述的电子电路，其特征在于，所述第二电压高于所述第一电压。

3.根据权利要求1所述的电子电路，其特征在于，还包括耦合到所述斜坡发生器电路的输入的第一电容器，其中上拉所述斜坡发生器电路的输出包括向所述第一电容器中注入所述第二电流。

4.根据权利要求3所述的电子电路，其特征在于，所述软启动电容器具有大于100nF的电容，并且所述第一电容器具有小于100pF的电容。

5.根据权利要求1所述的电子电路，其特征在于，所述斜坡发生器电路被配置为：在使用所述第二电流上拉所述斜坡发生器电路的输出时，在所述斜坡发生器电路的输出处生成具有基本上恒定的斜率的斜坡。

6.根据权利要求1所述的电子电路，其特征在于，还包括所述功率开关。

7.根据权利要求6所述的电子电路，其特征在于，所述功率开关包括功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。

8.根据权利要求6所述的电子电路，其特征在于，所述斜坡发生器电路和所述功率开关被集成在同一封装件中。

9.根据权利要求8所述的电子电路，其特征在于，所述斜坡发生器电路和所述功率开关被集成在集成电路(IC)的同一衬底中。

10.根据权利要求8所述的电子电路，其特征在于，所述软启动电容器在所述封装件外部。

11.根据权利要求1所述的电子电路，其特征在于，所述斜坡发生器电路包括：

第一电流源，耦合到所述斜坡发生器电路的输入；

第二电流源，耦合到所述斜坡发生器电路的输入；

第一晶体管，耦合在所述斜坡发生器电路的输入与接地端子之间；

第二晶体管，耦合在所述斜坡发生器电路的输入与所述斜坡发生器电路的输出之间；

第三晶体管，耦合在所述斜坡发生器电路的输出与所述接地端子之间；以及

逻辑电路，被配置为控制所述第一晶体管、所述第二晶体管和所述第三晶体管，并且还被配置为控制所述第一电流源和所述第二电流源。

12.根据权利要求11所述的电子电路，其特征在于，确定所述软启动电容器是否电连接到所述斜坡发生器电路包括：向所述斜坡发生器电路的输入中注入由所述第一电流源产生的电流。

13.根据权利要求11所述的电子电路，其特征在于，保持所述斜坡发生器电路的输出处于所述第一电压包括保持所述第三晶体管导通。