[实用新型]一种功率器件芯片有效
| 申请号： | 201821312199.1 | 申请日： | 2018-08-15 |
| 公开（公告）号： | CN209374448U | 公开（公告）日： | 2019-09-10 |
| 发明（设计）人： | 林河北;葛立志;覃事治;徐衡 | 申请（专利权）人： | 深圳市金誉半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L29/06;H01L21/77 |
| 代理公司： | 深圳市兰锋知识产权代理事务所(普通合伙) 44419 | 代理人： | 曹明兰 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市龙华新区*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 功率器件芯片 半绝缘多晶硅 本实用新型 氮氧化硅层 厚氧化硅层 邻接 衬底厚度方向 多晶硅填满 沟槽内侧壁 器件可靠性 厚氧化层 氧化硅层 半绝缘 多晶硅 缓冲层 氧化硅 衬底 源区 填充 制作 | ||
1.一种功率器件芯片，其特征在于：其包括：
第一导电类型的衬底；
形成在所述衬底上表面的第一导电类型的外延层，所述外延层上形成有沟槽；
所述沟槽内侧壁形成有氮氧化硅层，所述沟槽底部以及所述氮氧化硅层外均形成有氧化硅层，所述沟槽底部的氧化层的厚度大于所述氮氧化硅层外的氧化硅层，所述沟槽底部的氧化硅层上形成有半绝缘多晶硅层，所述半绝缘多晶硅层上用多晶硅填满所述沟槽；
体区，形成于所述外延层内并与所述沟槽两侧邻接；
源区，形成于所述体区内并与所述沟槽两侧邻接；
介质层，形成于所述多晶硅上，并覆盖部分所述源区及所述体区；
第一金属层，形成于所述体区、部分所述源区及所述介质层上；
第二金属层，形成于所述衬底的下表面。
2.根据权利要求1所述的功率器件芯片，其特征在于：所述第一导电类型为N型导电材料。
3.根据权利要求1所述的功率器件芯片，其特征在于：所述体区为P型体区，所述源区为N+型源区。
4.根据权利要求1所述的功率器件芯片，其特征在于：所述半绝缘多晶硅层的厚度小于3000埃。
5.根据权利要求1所述的功率器件芯片，其特征在于：所述沟槽底部的氧化硅层的厚度小于5000埃。
6.根据权利要求1所述的功率器件芯片，其特征在于：所述氮氧化硅层的厚度为200～1000埃。
7.根据权利要求1所述的功率器件芯片，其特征在于：所述半绝缘多晶硅层的氧含量为15％-20％。
8.根据权利要求1所述的功率器件芯片，其特征在于：所述氮氧化硅层延伸至所述沟槽底部。
9.根据权利要求1所述的功率器件芯片，其特征在于：所述第一金属层为Al/Si/Cu，厚度为40000埃。
10.根据权利要求1所述的功率器件芯片，其特征在于：第二金属层为Ti/Ni/Ag，厚度为10000～20000埃。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市金誉半导体有限公司，未经深圳市金誉半导体有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201821312199.1/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：IGBT半桥模块
- 下一篇：一种半导体双NMOS芯片
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
