[实用新型]一种晶体管有效
| 申请号： | 201821312696.1 | 申请日： | 2018-08-15 |
| 公开（公告）号： | CN208904023U | 公开（公告）日： | 2019-05-24 |
| 发明（设计）人： | 梅小杰;李龙;杨东;邹荣涛;杜永琴 | 申请（专利权）人： | 深圳市金誉半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/08 | 分类号： | H01L29/08;H01L29/10;H01L29/737 |
| 代理公司： | 深圳市兰锋知识产权代理事务所(普通合伙) 44419 | 代理人： | 曹明兰 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市龙华新区*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 发射区 晶体管 衬底 外延层 基区 第一导电类型 衬底表面 导电类型 非直线 平行 本实用新型 放大系数 贯穿 延伸 生长 | ||
1.一种晶体管，其特征在于，所述晶体管包括：
第一导电类型的衬底；
第二导电类型的外延层，生长在所述衬底上方；
第二导电类型的发射区，所述发射区贯穿所述外延层与所述衬底连接，所述发射区在平行于所述衬底表面的方向上以非直线的形状延伸；及
第一导电类型的基区，所述基区贯穿所述外延层与所述衬底连接，且所述基区位于所述发射区的一侧并沿着所述发射区在平行于所述衬底表面的方向上以非直线的形状延伸。
2.根据权利要求1所述的晶体管，其特征在于，所述晶体管还包括集电区及集电极接触区，所述集电区位于所述基区远离所述发射区的一侧，所述集电极接触区位于所述集电区远离所述基区的一侧。
3.根据权利要求2所述的晶体管，其特征在于，所述晶体管还包括生长在所述外延层上方的介质层以及形成于所述介质层上的集电极、基极及发射极，所述集电极贯穿所述介质层与所述集电极接触区电连接，所述基极贯穿所述介质层与所述基区电连接；所述发射极贯穿所述介质层与所述发射极电连接。
4.根据权利要求1所述的晶体管，其特征在于，所述外延层及所述衬底的材质为硅，其中，所述外延层的电阻率在5-50ohm.cm之间，厚度在5-10um之间。
5.根据权利要求3所述的晶体管，其特征在于，所述介质层上形成有集电极接触孔、基极接触孔及发射极接触孔；所述集电极贯穿所述集电极接触孔与集电极接触区电连接，所述基极贯穿所述基极接触孔与基区电连接，所述发射极贯穿所述发射极接触孔与所述发射区电连接。
6.根据权利要求1所述的晶体管，其特征在于，所述第一导电类型为N型，所述第二导电类型为P型。
7.根据权利要求1所述的晶体管，其特征在于，所述基区的宽度在0.3-0.5um之间。
8.根据权利要求5所述的晶体管，其特征在于，所述介质层的材质为二氧化硅。
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