[实用新型]用于晶圆处理设备的进气管和晶圆处理设备有效
| 申请号： | 201821313890.1 | 申请日： | 2018-08-15 |
| 公开（公告）号： | CN208750280U | 公开（公告）日： | 2019-04-16 |
| 发明（设计）人： | 高航;孟宪宇;吴宗祐;林宗贤 | 申请（专利权）人： | 德淮半导体有限公司 |
| 主分类号： | F16L57/00 | 分类号： | F16L57/00 |
| 代理公司： | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 孙佳胤;董琳 |
| 地址： | 223300 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 进气管 晶圆处理设备 保护层 管体 内壁 外壁 本实用新型 破裂 覆盖 | ||
【权利要求书】：
1.一种用于晶圆处理设备的进气管，其特征在于，包括：
管体，包括内壁和外壁；
保护层，覆盖所述内壁和/或外壁，所述保护层的机械强度大于所述管体的机械强度。
2.根据权利要求1所述的进气管，其特征在于，所述管体的一端作为密封端口，所述密封端口具有一定长度，用于与外部管路密封连接；所述保护层覆盖所述密封端口以外的管壁。
3.根据权利要求2所述的进气管，其特征在于，所述密封端口外壁表面覆盖有过渡层，所述过渡层表面光滑度大于所述保护层的表面光滑度。
4.根据权利要求1所述的进气管，其特征在于，所述保护层为碳化硅层。
5.根据权利要求1所述的进气管，其特征在于，所述管体为硅管。
6.根据权利要求3所述的进气管，其特征在于，所述过渡层为氧化硅层。
7.根据权利要求1所述的进气管，其特征在于，所述保护层的热膨胀系数大于所述管体的热膨胀系数。
8.根据权利要求1所述的进气管，其特征在于，所述保护层具有朝向所述管体的压应力。
9.根据权利要求1所述的进气管，其特征在于，所述保护层的厚度为0.195mm～0.39mm；所述保护层与管体的总厚度为1mm～2mm。
10.一种晶圆处理设备，其特征在于，包括：
如权利要求1至9中任一项所述的进气管。
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