[实用新型]IGBT功率组件有效
| 申请号： | 201821314696.5 | 申请日： | 2018-08-15 |
| 公开（公告）号： | CN208460744U | 公开（公告）日： | 2019-02-01 |
| 发明（设计）人： | 李彦莹;路笑;杨小川 | 申请（专利权）人： | 华润微电子（重庆）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L23/367 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 401331 重庆市*** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 覆铜陶瓷基板 封装 本实用新型 上表面 抗震能力 空洞率 上盖板 下盖板 焊接工艺 散热效果 易碎 烧结 陶瓷片 散热 焊接 | ||
1.一种IGBT功率组件，其特征在于，包括：
封装下盖板；
覆铜陶瓷基板，位于所述封装下盖板的上表面；
IGBT芯片，位于所述覆铜陶瓷基板的上表面；
封装上盖板，位于所述IGBT芯片的上表面。
2.根据权利要求1所述的IGBT功率组件，其特征在于：所述覆铜陶瓷基板包括基板主体和一端与所述基板主体相连接的多个管脚，多个所述管脚平行间隔排布在所述基板主体的同一侧。
3.根据权利要求2所述的IGBT功率组件，其特征在于：所述覆铜陶瓷基板的基板主体的尺寸小于所述封装下盖板的尺寸。
4.根据权利要求1所述的IGBT功率组件，其特征在于：所述封装下盖板、覆铜陶瓷基板及所述封装上盖板上均设置有通孔，所述封装下盖板的通孔的中心点、所述覆铜陶瓷基板的通孔的中心点及所述封装上盖板的通孔的中心点位于同一直线上。
5.根据权利要求4所述的IGBT功率组件，其特征在于：所述IGBT芯片位于所述覆铜陶瓷基板表面未设置有所述通孔的区域。
6.根据权利要求4所述的IGBT功率组件，其特征在于：所述封装上盖板上还包括两个半圆孔，两个所述半圆孔位于所述封装上盖板相对的两侧，且两个所述半圆孔的开口方向朝向远离所述通孔的方向。
7.根据权利要求6所述的IGBT功率组件，其特征在于：所述封装上盖板的两个所述半圆孔的中心点与所述封装上盖板的所述通孔的中心点位于同一条直线上。
8.根据权利要求1所述的IGBT功率组件，其特征在于：所述IGBT功率组件还包括散热器，所述散热器位于所述覆铜陶瓷基板和所述封装下盖板之间。
9.根据权利要求1所述的IGBT功率组件，其特征在于：所述覆铜陶瓷基板的厚度介于2～2.5mm之间。
10.根据权利要求1至9任一项所述的IGBT功率组件，其特征在于：所述IGBT芯片烧结焊接于所述覆铜陶瓷基板的上表面。
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