[实用新型]过温保护电路

权利要求书

1.一种过温保护电路，其特征在于，包括：

内部电源产生单元，用于作为电压源提供第一电压；

内部电流产生单元，用于作为额定电流源提供额定电流；

比较判断单元，所述比较判断单元的电压输入端连接所述内部电源产生单元的输出端，所述比较判断单元的电流输入端连接所述内部电流产生单元的输出端；所述比较判断单元用于根据温度大小，产生对应输出信号，实现使能数字信号输出。

2.如权利要求1所述的过温保护电路，其特征在于，还包括迟滞转换单元，所述迟滞转换单元位于所述比较判断单元与电路的数字信号输出端之间。

3.如权利要求2所述的过温保护电路，其特征在于，所述内部电源产生单元的电源输入端连接高压电源，并用于将所述高压电源转换成低压电源，用于给所述比较判断单元提供所述第一电压，所述内部电源产生单元的电源输出端作为所述比较判断单元的比较电压点；所述内部电流产生单元的电源输入端连接输入所述高压电源，并用于将所述高压电源转换成额定电流电源，用于给所述比较判断单元提供所述额定电流。

4.如权利要求2或3所述的过温保护电路，其特征在于，所述比较判断单元包括第一NMOS管、第二NMOS管和n个NPN管，n为2以上的整数；

所述第一NMOS管的漏极连接所述内部电流产生单元的输出端，所述第一NMOS管的栅极连接所述内部电源产生单元的输出端；

第1个NPN管的集电极连接所述第一NMOS管的源极；

n个NPN管中的后一个NPN管的集电极连接前一个NPN管的发射极，并且n个NPN管各自的集电极和基极相连；

所述第二NMOS管为耗尽型NMOS管，所述第二NMOS管的漏极连接第n个NPN管的发射极，所述第二NMOS管的栅极和源极相连，所述第二NMOS管的源极接地。

5.如权利要求4所述的过温保护电路，其特征在于，所述迟滞转换单元包括反相器和第三NMOS管；

所述反相器的输入端连接所述内部电流产生单元的输出端；

所述第三NMOS管的栅极连接所述反相器的输出端，所述第三NMOS管的漏极连接第n个NPN管的集电极和基极，所述第三NMOS管的源极连接第n个NPN管的发射极。

6.如权利要求5所述的过温保护电路，其特征在于，n等于5。

7.如权利要求2或3所述的过温保护电路，其特征在于，所述比较判断单元包括第一NMOS管、第二NMOS管和m个NPN管，m为1以上的整数；

所述比较判断单元还包括分压元件，所述分压元件为电阻或者二极管；

所述第一NMOS管的漏极连接所述内部电流产生单元的输出端，所述第一NMOS管的栅极连接所述内部电源产生单元的输出端；

第1个NPN管的集电极连接所述第一NMOS管的源极；

m个NPN管中的后一个NPN管的集电极连接前一个NPN管的发射极，并且m个NPN管各自的集电极和基极相连；

所述分压元件的第一端连接第m个NPN管的发射极；

所述第二NMOS管为耗尽型NMOS管，所述第二NMOS管的漏极连接所述分压元件的第二端，所述第二NMOS管的栅极和源极相连，所述第二NMOS管的源极接地。

8.如权利要求7所述的过温保护电路，其特征在于，所述迟滞转换单元包括反相器和第三NMOS管；

所述反相器的输入端连接所述内部电流产生单元的输出端；

所述第三NMOS管的栅极连接所述反相器的输出端，所述第三NMOS管的漏极连接所述分压元件的第一端，所述第三NMOS管的源极连接所述分压元件的第二端。