[实用新型]一种石墨烯宽带可调控圆极化超表面

权利要求书

1.一种石墨烯宽带可调控圆极化超表面，其特征在于：包括由下至上依次层叠的底层金属反射板、第一介质基板、第二介质基板及顶层的谐振单元，所述谐振单元由两个呈I形的金属贴片及连接两金属贴片的一字形石墨烯贴片，所述金属贴片与石墨烯贴片共同组成一个呈H形的谐振单元。

2.根据权利要求1所述的石墨烯宽带可调控圆极化超表面，其特征在于：所述I形金属贴片的两长侧端呈弧形内凹，由一个长度a=49.9 μm，宽度b=28.4 μm矩形结构剪去两个相同的弓形结构构成，所述弓形结构的弦长与矩形结构的边长相等，所述弓形结构对应的圆心角为64 °3 ′22 ″。

3.根据权利要求1所述的石墨烯宽带可调控圆极化超表面，其特征在于：所述金属贴片关于x轴对称，且两个金属贴片中心相距c=33.2 μm。

4.根据权利要求1所述的石墨烯宽带可调控圆极化超表面，其特征在于：所述石墨烯贴片由一个长度c=33.2 μm，宽度d=5.8 μm的矩形结构剪去两个I形的金属贴片构成，所述矩形结构的宽边经过金属贴片中心，所述石墨烯贴片中心与金属贴片中心均位于y轴上。

5.根据权利要求1所述的石墨烯宽带可调控圆极化超表面，其特征在于：所述石墨烯贴片由单层碳原子紧密排列构成，且石墨烯贴片与第二介质基板之间加载用于激励石墨烯贴片的偏置电压。

6.根据权利要求1所述的石墨烯宽带可调控圆极化超表面，其特征在于：所述第一介质基板的材料为Neltec NY9208，介电常数2.08，损耗角正切值0.0006，介质基板边长84 μm，厚度33 μm，设置在金属反射板上方，所述第二介质基板材料为SiO₂，介电常数4，介质基板边长84 μm，厚度1 μm，设置在第一介质基板上方。

7.根据权利要求1所述的石墨烯宽带可调控圆极化超表面，其特征在于：所述金属贴片与底层反射板材料为金，厚度为0.2 μm；石墨烯贴片的厚度为0.34nm。