[实用新型]一种光栅尺标定装置有效

专利信息
申请号: 201821328982.7 申请日: 2018-08-17
公开(公告)号: CN209485272U 公开(公告)日: 2019-10-11
发明(设计)人: 张文涛;杜浩;熊显名;朱保华;张玉婷;徐韶华 申请(专利权)人: 桂林电子科技大学
主分类号: G01B11/02 分类号: G01B11/02
代理公司: 北京中济纬天专利代理有限公司 11429 代理人: 石燕妮
地址: 541004 广西*** 国省代码: 广西;45
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摘要:
搜索关键词: 干涉仪 反射镜 测量装置 承载台 读头 标定装置 同侧设置 光栅尺 运动台 本实用新型 反射镜反射 平面光栅 平面延伸 外侧设置 侧面 顶点处 微环境 承载 封闭
【说明书】:

本实用新型提供一种光栅尺标定装置,包括运动台和测量装置,运动台处于封闭的微环境区域内,测量装置设置于运动台上;测量装置包括承载台;承载台上设置有4个读头,每个读头分别处于一四边形的顶点处;在每个读头的上方设置有一平面光栅;承载台的相对的两侧面的外侧各设置有一个第二反射镜,由第二平面延伸形成第四反射镜,承载台的另外两相对的侧面的其中一个侧面的外侧设置有第一反射镜;测量装置还包括第一干涉仪、第二干涉仪和第三干涉仪,第二干涉仪与第三干涉仪与第二反射镜同侧设置,第一干涉仪与第一反射镜同侧设置;测量装置还包括两第三反射镜,第二干涉仪与第三干涉仪发出的光线的一部分经第四反射镜反射进入到第三反射镜。

技术领域

本实用新型属于检测技术领域,具体涉及一种光栅尺标定装置。

背景技术

光刻技术是利用曝光的方法将掩模上的电路图案投射到涂覆于晶圆表面的光刻胶上,对光敏感的光刻胶经曝光后发生化学性变,然后经过显影、刻蚀、掺杂等工艺,最终在晶圆上形成硅基电路。光刻机是生产半导体芯片的核心设备,在半导体芯片制造的过程中光刻机的掩膜台、工件台的定位精度直接影响半导体芯片加工的线宽。光刻分辨率、套刻精度以及产率是衡量光刻机性能的三个主要指标,这三个指标中,除光刻分辨率是与物镜系统相关外,其余两个均与工件台和掩模台直接相关。工件台是搭载晶圆的六自由度精密运动台,在步进扫描光刻机中,工件台要完成超精密定位以及超精密的姿态调整以满足对准系统和调平调焦系统的要求。因此,在光刻机中需要高精度的位置测量系统以保证掩膜台和工件台的定位精度。

工件台位置测量系统是光刻机工件台的重要子系统之一,它为工件台伺服控制系统提供工件台位置反馈信息,由此形成闭环回路,所以测量精度也是影响套刻精度的重要因素。精确的位置信息是工件台运动定位、调平调焦以及对准等过程的先决条件,在光刻机工件台系统的研发中,工件台六自由度超精密测量系统是一项关键技术。目前,满足工件台六自由度位置测量需求的测量系统有激光干涉仪测量系统和平面光栅尺测量系统。

激光干涉仪是目前应用十分广泛的一种精密位移测量系统,可以分为单频激光干涉仪和双频激光干涉仪。激光干涉仪的测量分辨力可以达到纳米量级,测量范围可以达到数十米,是一种适合测量大行程、高精度位移的精密测量仪器,并在光刻机中得到了广泛的应用。激光干涉仪以激光波长作为位移测量基准,当激光源的波长和空气的折射率因环境中的温度、湿度等发生变化时,激光干涉仪的测量精度会受到严重的影响。因此,激光干涉仪在使用时对测量环境有着十分严格的要求,已经不能满足28纳米至14纳米光刻机工件台的定位需求。

平面光栅尺测量系统是除激光干涉仪外另一种精密位移测量系统。平面光栅尺测量系统以光栅的栅距作为位移量的测量基准,从原理上消除了光源波长变化对位移测量的影响。当采用零膨胀系数的材料制造光栅时,环境中的温度变化不会引起光栅栅距的变化,因此平面光栅尺测量系统对测量环境的要求相比激光干涉仪宽松很多。平面光栅尺测量系统的分辨力可以达到纳米、亚纳米量级,测量范围取决于光栅的大小,一般可以达到数十到上百毫米。相比于激光干涉仪,平面光栅尺测量系统结构简单、系统体积小,更适合应用在本身结构就比较复杂的制造装备或测量仪器中。而平面光栅尺在安装过程中会存在读头安装误差、光栅安装误差、光栅制造误差。

发明内容

鉴于以上所述现有技术的缺点,本实用新型的目的在于提供一种光栅尺标定装置。

为实现上述目的及其他相关目的,本实用新型提供一种光栅尺标定装置,该标定装置包括运动台7和测量装置,所述运动台处于封闭的微环境区域10内,所述测量装置设置于运动台上,随运动台而运动;

所述测量装置包括具有第一平面和第二平面的承载台907,所述第一平面与第二平面相互平行;在所述第一平面上设置有4个读头,每个所述读头分别处于一四边形的顶点处;在每个所述读头的上方设置有一平面光栅908;

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