[实用新型]温度测量电路

说明书

一种温度测量电路，包括：第一MOS管，第一MOS管的栅极连接信号输入端；第一MOS管的源极、漏极与衬底相连接；比较器，第一MOS管的栅极连接比较器的正相输入端；第一MOS管的源极、漏极与衬底连接比较器的反相输入端；三极管，三极管的发射极连接比较器的反相输入端；三极管的集电极和基极共地；第二MOS管，第二MOS管的漏极连接第一MOS管的栅极，第二MOS管的源极与衬底共地；单脉冲逻辑电路单元，单脉冲逻辑电路单元的输入端连接比较器的输出端，单脉冲逻辑电路单元的输出端连接第二MOS管的栅极；电流源，电流源连接三极管的发射极。温度测量电路所占面积小，功耗小，可靠性高。

技术领域

本实用新型涉及集成电路技术领域，尤其涉及一种温度测量电路。

背景技术

逻辑集成电路应用广泛，其中许多情形下要求测量温度并转换成数字形式。

常用的温度测量电路是采用温敏电阻测量与温度相关的电压，然后用模数转换器，将此电压转换为数字形式。然而这种电路系统复杂，成本高，可靠性不好。

实用新型内容

本实用新型解决的问题是提供一种温度测量电路，以采用更加简单地电路结构，实现对温度的测量，在保证温度测量可靠性的同时，节省成本。

为解决上述问题，本实用新型提供了一种温度测量电路，包括：第一MOS管，所述第一MOS管的栅极连接信号输入端；所述第一MOS管的源极、漏极与衬底相连接；比较器，所述第一MOS管的栅极连接所述比较器的正相输入端；所述第一MOS管的源极、漏极与衬底连接所述比较器的反相输入端；三极管，所述三极管的发射极连接所述比较器的反相输入端；所述三极管的集电极和基极共地；第二MOS管，所述第二MOS管的漏极连接所述第一MOS管的栅极，所述第二MOS管的源极与衬底共地；单脉冲逻辑电路单元，所述单脉冲逻辑电路单元的输入端连接所述比较器的输出端，所述单脉冲逻辑电路单元的输出端连接所述第二MOS管的栅极；电流源，所述电流源连接所述三极管的发射极。

可选的，所述信号输入端包括反相器和连接在所述反相器输出端的电阻，所述电阻连接至所述第一MOS管的栅极。

可选的，所述第一MOS管为增强型PMOS。

可选的，所述三极管为PNP管或NPN管。

可选的，所述第二MOS管为增强型NMOS。

为解决上述问题，本实用新型提供另一种温度测量电路，包括：第一MOS管，所述第一MOS管的栅极连接信号输入端；所述第一MOS管的源极、漏极与衬底相连接；比较器，所述第一MOS管的栅极连接所述比较器的正相输入端；所述第一MOS管的源极连接所述比较器的反相输入端；二极管，所述二极管的正极连接所述比较器的反相输入端；所述二极管的负极接地；第二MOS管，所述第二MOS管的漏极连接所述第一MOS管的栅极，所述第二MOS管的源极与衬底共地；单脉冲逻辑电路单元，所述单脉冲逻辑电路单元的输入端连接所述比较器的输出端，所述单脉冲逻辑电路单元的输出端连接所述第二MOS管的栅极；电流源，所述电流源连接所述二极管的正极。

可选的，所述信号输入端包括反相器和连接在反相器输出端的电阻，所述电阻连接至所述第一MOS管的栅极。

可选的，所述第一MOS管为增强型PMOS。

可选的，所述第二MOS管为增强型PMOS、增强型NMOS管、耗尽型PMOS管或耗尽型NMOS管。

本实用新型技术方案的其中一个方面中，电路结构简单，设计巧妙，所使用的器件为MOS管等，不需要使用温敏电阻和模数转换器等复杂器件，因此，所要占用的芯片面积较小、功耗小，并且电路的可靠性好，成本降低。

附图说明

图1是现有温度测量电路示意图；

图2是本实用新型实施例提供的温度测量电路示意图；