[实用新型]一种降低硅片表面降尘量的硅片置物架有效
| 申请号： | 201821331540.8 | 申请日： | 2018-08-17 |
| 公开（公告）号： | CN208738200U | 公开（公告）日： | 2019-04-12 |
| 发明（设计）人： | 徐启高;贺贤汉;赵剑锋;洪漪 | 申请（专利权）人： | 杭州中芯晶圆半导体股份有限公司;上海申和热磁电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/673 | 分类号： | H01L21/673;H01L31/18 |
| 代理公司： | 上海顺华专利代理有限责任公司 31203 | 代理人： | 顾兰芳 |
| 地址： | 310000 浙江省杭州市萧山区*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 过滤器 硅片 置物架 矩形框架 硅片表面 出风口 半导体加工技术 底板 本实用新型 硅片输送 后端开口 颗粒吸附 纵向排布 进风口 右侧板 左侧板 开口 洁净 增设 | ||
1.一种降低硅片表面降尘量的硅片置物架，包括一硅片置物架，其特征在于，所述硅片置物架是PVC制成的硅片置物架；
所述硅片置物架包括顶板、底板、左侧板以及右侧板围成前后两端均开口的矩形框架；
所述硅片置物架还包括至少三个纵向排布的层板，所述层板的左右两端与所述矩形框架相连；
还包括一FFU过滤器，所述FFU过滤器设置在所述矩形框架的后方，且所述FFU过滤器的出风口与所述矩形框架的后端开口对接，所述FFU过滤器的进风口位于所述FFU过滤器的后侧，所述FFU过滤器的出风口朝向所述层板。
2.根据权利要求1所述的一种降低硅片表面降尘量的硅片置物架，其特征在于：所述底板上设有向后延伸的延伸部，以所述延伸部作为用于放置所述FFU过滤器的置物台，所述FFU过滤器安装在所述延伸部上方。
3.根据权利要求1所述的一种降低硅片表面降尘量的硅片置物架，其特征在于：所述层板的上表面包括一齿状结构的置物面；
所述置物面包括从左至右依次排布的复数个硅片放置单元，所述硅片放置单元是从左至右倾斜向下的倾斜面，所述倾斜面的最高端与最低端的高度差为3.5cm-4.5cm。
4.根据权利要求3所述的一种降低硅片表面降尘量的硅片置物架，其特征在于：所述层板包括四个方管围成的矩形方框以及设置在矩形方框中央的置物板，所述置物板的上表面为所述置物面；
所述方管的纵向高度等于所述置物板的最厚处的厚度。
5.根据权利要求4所述的一种降低硅片表面降尘量的硅片置物架，其特征在于：所述硅片置物架的下方设有万向轮。
6.根据权利要求1所述的一种降低硅片表面降尘量的硅片置物架，其特征在于：所述左侧板或者所述右侧板的外围设有一把手。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
