[实用新型]可调制表面能带的碲镉汞雪崩二极管探测器

权利要求书

1.一种可调制表面能带的碲镉汞雪崩二极管探测器，包括碲镉汞p区(1)，碲镉汞低掺杂n^-区(2)，碲镉汞高掺杂n⁺区(3)，钝化层(4)，pn结光敏元区电极(5)，p区公共电极(6)和表面能带调制电极(7)，其特征在于：

在碲镉汞p区(1)上通过常规掺杂形成碲镉汞高掺杂n⁺区(3)和碲镉汞低掺杂n^-区(2)；在碲镉汞上覆盖钝化层(4)，在pn结光敏元区电极(5)和碲镉汞p区(1)上方的钝化层(4)上分别开孔使碲镉汞高掺杂n⁺区(3)与pn结光敏元区电极(5)相连，碲镉汞p区(1)与p区公共电极(6)相连；在钝化层(4)上制备表面能带调制电极(7),其位置在垂直方向上的碲镉汞低掺杂n^-区(2)和碲镉汞p区(1)所形成的pn结耗尽区上钝化层(4)上；

所述的纵向碲镉汞高掺杂n⁺区(3)下的碲镉汞低掺杂n^-区(2)厚度为3μm，碲镉汞高掺杂n⁺区(3)厚度为1μm。

2.根据权利要求1所述的一种可调制表面能带的碲镉汞雪崩二极管探测器，其特征在于：所述的钝化层(4)由碲化镉和硫化锌组成，先在碲镉汞p区(1)覆盖碲化镉，再覆盖硫化锌，碲化镉厚度在100nm到200nm之间，硫化锌厚度在0nm到200nm之间。

3.根据权利要求1所述的一种可调制表面能带的碲镉汞雪崩二极管探测器，其特征在于：所述的pn结光敏元区电极(5)，p区公共电极(6)和表面能带调制电极(7)均由锡和金组成，先覆盖锡，再覆盖金，锡厚度在20nm到40nm之间，金厚度在60nm到120nm之间。