[实用新型]扇出型天线封装结构有效

专利信息
申请号: 201821346590.3 申请日: 2018-08-20
公开(公告)号: CN208637416U 公开(公告)日: 2019-03-22
发明(设计)人: 陈彦亨;林正忠;吴政达 申请(专利权)人: 中芯长电半导体(江阴)有限公司
主分类号: H01L23/66 分类号: H01L23/66;H01L23/498;H01L21/48;H01L21/683;H01Q1/22
代理公司: 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 代理人: 余明伟
地址: 214437 江*** 国省代码: 江苏;32
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 金属连接柱 重新布线层 天线金属 封装层 电性连接 半导体芯片 本实用新型 天线封装 扇出型 显露 电性稳定性 多层天线 封装结构 金属凸块 集成度 金属层 覆盖 整合 封装
【说明书】:

实用新型提供一种扇出型天线封装结构,所述封装结构包括:重新布线层;位于重新布线层上的第一金属连接柱;位于重新布线层上且与重新布线层电性连接的半导体芯片;覆盖重新布线层、第一金属连接柱及半导体芯片且显露第一金属连接柱的第一封装层;位于第一封装层的顶面上且与第一金属连接柱电性连接的第一天线金属层;位于第一天线金属层上的第二金属连接柱;覆盖第一天线金属层及第二金属连接柱且显露第二金属连接柱的第二封装层;位于第二封装层的顶面上且与第二金属连接柱电性连接的第二天线金属层;以及位于重新布线层上的金属凸块。本实用新型实现多层天线金属层的整合,有效缩小封装体积,具有较高的集成度以及电性稳定性。

技术领域

本实用新型涉及半导体封装技术领域,特别是涉及一种扇出型天线封装结构。

背景技术

更低成本、更可靠、更快及更高密度的电路是集成电路封装追求的目标。在未来,集成电路封装将通过不断减小最小特征尺寸来提高各种电子元器件的集成密度。目前,常用的封装方法包括:晶圆级芯片规模封装(Wafer Level Chip Scale Packaging,WLCSP),扇出型晶圆级封装(Fan-Out Wafer Level Package,FOWLP),倒装芯片(Flip Chip),叠层封装(Package on Package,POP)等等。其中,扇出型晶圆级封装由于其输入/输出端口(I/O)较多、集成灵活性较好,已成为目前较为先进的封装方法之一。

随着高科技电子产品的普及以及人们需求的增加,特别是为了配合人们移动的需求,目前,大多高科技电子产品都增加了无线通讯的功能。

一般来说,现有的天线结构通常是将天线直接制作于电路板的表面,这种作法会让天线占据额外的电路板面积,整合性较差。对于各种高科技电子产品而言,使用较大的电路板即表示高科技电子产品占据较大的体积,这与人们对高科技电子产品的小型化、便捷式的需求相违背,因此,如何减少天线所占电路板的面积,减小天线封装结构的体积以提高天线封装结构的整合性能,将是这些电子装置所需克服的问题。

鉴于此,有必要设计一种新的扇出型天线封装结构用于解决天线占据电路板的面积所引起的上述技术问题。

实用新型内容

鉴于以上所述现有技术的缺点,本实用新型的目的在于提供一种扇出型天线封装结构,用于解决现有技术中天线占据电路板的面积,所引起的天线封装结构体积大、整合性差的问题。

鉴于此,本实用新型提供一种扇出型天线封装结构,包括:

重新布线层,所述重新布线层包括相对的第一面及第二面;

第一金属连接柱,位于所述重新布线层的第二面上,且与所述重新布线层电性连接;

半导体芯片,位于所述重新布线层的第二面上,且与所述重新布线层电性连接;

第一封装层,覆盖所述重新布线层、第一金属连接柱及半导体芯片,且所述第一封装层的顶面显露所述第一金属连接柱;

第一天线金属层,位于所述第一封装层的顶面上,且所述第一天线金属层与所述第一金属连接柱电性连接;

第二金属连接柱,位于所述第一天线金属层上;

第二封装层,覆盖所述第一天线金属层及第二金属连接柱,且所述第二封装层的顶面显露所述第二金属连接柱;

第二天线金属层,位于所述第二封装层的顶面上,且所述第二天线金属层与所述第二金属连接柱电性连接;以及

金属凸块,位于所述重新布线层的第一面上。

可选的,所述半导体芯片还包括与所述半导体芯片的接触焊垫相连接的金属柱及金属球中的一种或组合。

可选的,所述金属柱的侧面被所述重新布线层包覆,所述金属柱通过所述金属球与所述重新布线层电性连接。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯长电半导体(江阴)有限公司,未经中芯长电半导体(江阴)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201821346590.3/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top