[实用新型]屏蔽栅极场效应晶体管有效
| 申请号： | 201821355188.1 | 申请日： | 2018-08-22 |
| 公开（公告）号： | CN208767305U | 公开（公告）日： | 2019-04-19 |
| 发明（设计）人： | P·A·布尔克;D·E·普罗布斯特;S·J·霍赛 | 申请（专利权）人： | 半导体组件工业公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 章蕾 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 屏蔽氧化物 屏蔽电极 栅极场效应晶体管 氧化物材料 多晶硅层 屏蔽 栅极电极 凹部 凹进 本实用新型 材料沉积 材料形成 沟槽形成 衬底 加宽 沉积 填充 申请 | ||
1.一种屏蔽栅极场效应晶体管，其特征在于包括：
沟槽，所述沟槽形成在衬底内；
屏蔽氧化物材料，所述屏蔽氧化物材料形成在所述沟槽内；
屏蔽电极材料，所述屏蔽电极材料沉积在所述屏蔽氧化物材料上，之后所述屏蔽氧化物材料在所述屏蔽电极上方凹进以加宽所述沟槽的上部部分，所述屏蔽电极材料凹进在所述屏蔽氧化物材料内以形成凹部；
多晶硅层间氧化物材料，所述多晶硅层间氧化物材料沉积在所述屏蔽电极材料上，填充所述凹部；以及
栅极电极，所述栅极电极形成在所述多晶硅层间氧化物材料上方。
2.根据权利要求1所述的屏蔽栅极场效应晶体管，其特征在于所述多晶硅层间氧化物材料的沉积厚度为所述凹部的至少一半宽度。
3.根据权利要求1所述的屏蔽栅极场效应晶体管，其特征在于所述多晶硅层间氧化物材料的沉积厚度在800埃与3,000埃之间。
4.根据权利要求1所述的屏蔽栅极场效应晶体管，其特征在于所述多晶硅层间氧化物材料从所述沟槽的侧壁上的所述屏蔽氧化物材料蚀刻。
5.根据权利要求4所述的屏蔽栅极场效应晶体管，其特征在于所述屏蔽氧化物材料从所述填充的凹部上方的所述侧壁蚀刻。
6.根据权利要求1所述的屏蔽栅极场效应晶体管，其特征在于所述多晶硅层间氧化物材料包括旋涂玻璃。
7.根据权利要求1所述的屏蔽栅极场效应晶体管，其特征在于所述多晶硅层间氧化物材料被掺杂以增加蚀刻速率和蚀刻选择性。
8.根据权利要求1所述的屏蔽栅极场效应晶体管，其特征在于所述多晶硅层间氧化物材料掺杂有硼。
9.根据权利要求1所述的屏蔽栅极场效应晶体管，其特征在于所述多晶硅层间氧化物材料的厚度是所述栅极电极的厚度的至少三倍。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于半导体组件工业公司，未经半导体组件工业公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201821355188.1/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
