[实用新型]一种单晶硅片抛光液回收过滤装置

说明书

本实用新型公开了一种单晶硅片抛光液回收过滤装置，包括筒体，所述筒体的内部设有过滤筒和过滤网，过滤筒设于筒体的上部，过滤筒与筒体之间设有间隙，过滤筒的顶部固连多孔板，多孔板固连筒体，过滤筒的下方设有过滤网，过滤网固连筒体；筒体的顶部设有顶盖，顶盖的顶部设有电机；主轴为空心轴，中心设有圆柱形空腔，主轴的顶端通过旋转接头连接供气管，主轴贯穿多孔板、过滤筒和过滤网，过滤筒内部的主轴上设有喷气柱，喷气柱套在主轴上并与主轴固连；本实用新型将抛光液经过双重过滤后回收利用，过滤比较彻底，而且通过旋转的喷气柱喷气的同时旋转产生复杂气流，扰动过滤筒内部水流的同时提高过滤效率。

技术领域

本实用新型涉及单晶硅片加工技术领域，尤其是一种单晶硅片抛光液回收过滤装置。

背景技术

制备单晶硅主要有两种方法：直拉法(Cz法)、区熔法(FZ法)；

直拉法：其优点是晶体被拉出液面不与器壁接触，不受容器限制，因此晶体中应力小，同时又能防止器壁沾污或接触所可能引起的杂乱晶核而形成多晶。此法制成的单晶完整性好，直径和长度都可以很大，生长速率也高。所用坩埚必须由不污染熔体的材料制成。因此，一些化学性活泼或熔点极高的材料，由于没有合适的坩埚，而不能用此法制备单晶体，而要改用区熔法晶体生长或其他方法。

区熔法：区熔法可用于制备单晶和提纯材料，还可得到均匀的杂质分布。这种技术可用于生产纯度很高的半导体、金属、合金、无机和有机化合物晶体。在区熔法制备硅单晶中，往往是将区熔提纯与制备单晶结合在一起，能生长出质量较好的中高阻硅单晶。区熔单晶炉主要包括：双层水冷炉室、长方形钢化玻璃观察窗、上轴(夹多晶棒)、下轴(安放籽晶)、导轨、机械传送装置、基座、高频发生器和高频加热线圈、系统控制柜真空系统及气体供给控制系统等组成。

单晶硅在制成后需要进行切片加工，现有技术中多线切割加工后需要使用到抛光液，使用过的抛光液直接排放造成浪费。

实用新型内容

本实用新型旨在提供一种过滤回收抛光液的单晶硅片抛光液回收过滤装置。

为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：一种单晶硅片抛光液回收过滤装置，包括筒体，所述筒体的内部设有过滤筒和过滤网，过滤筒设于筒体的上部，过滤筒与筒体之间设有间隙，过滤筒的顶部固连多孔板，多孔板固连筒体，过滤筒的下方设有过滤网，过滤网固连筒体；筒体的顶部设有顶盖，顶盖的顶部设有电机，电机的输出轴上设有主动齿轮，该主动齿轮与主轴上的从动齿轮啮合；主轴为空心轴，中心设有圆柱形空腔，主轴的顶端通过旋转接头连接供气管，主轴贯穿多孔板、过滤筒和过滤网，过滤筒内部的主轴上设有喷气柱，喷气柱套在主轴上并与主轴固连，喷气柱上设有数个喷气孔，喷气孔连通主轴中心的圆柱形空腔；顶盖上设有砂浆进口，筒体的底部设有抛光液出口。

作为本实用新型的进一步方案：所述筒体的顶部设有排气口。

作为本实用新型的进一步方案：所述圆柱形空腔的延伸到主轴的顶端构成开口。

作为本实用新型的进一步方案：所述供气管连接风机的出风口。

作为本实用新型的进一步方案：所述多孔板、过滤筒和过滤网的中心均设有与主轴间隙配合的通孔。

作为本实用新型的进一步方案：所述主轴的底端设有轴座，主轴与轴座之间通过轴承连接，轴座通过连杆连接筒体内壁。

作为本实用新型的进一步方案：所述过滤筒的材料为滤网，该滤网的目数小于过滤网的目数。

作为本实用新型的进一步方案：所述筒体的上部外部设有夹套，夹套的进水口连接冷水供管，排水口连接排水管。

作为本实用新型的进一步方案：所述筒体的底部设有反冲进口，过滤网上方一侧的筒体上设有第一反冲出口，过滤筒的底部一侧的筒体上设有第二反冲出口，第二反冲出口延伸到过滤筒的内部，反冲进口连接供水管，第一反冲出口和第一反冲出口均连接排水管。