[实用新型]一种刻蚀承载盘有效
| 申请号： | 201821361333.7 | 申请日： | 2018-08-23 |
| 公开（公告）号： | CN208861953U | 公开（公告）日： | 2019-05-14 |
| 发明（设计）人： | 李君杰;蔡家豪;邱智中;蔡吉明 | 申请（专利权）人： | 安徽三安光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/673 | 分类号： | H01L21/673 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 241000 安徽*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 刻蚀 盘体 导热槽 晶片凹槽 承载盘 本实用新型 传统的 氦气孔 盖板 晶片 铝盘 半导体制造设备 导热 同心圆排列 导热性能 放置晶片 固定盖板 可塑性强 盘体表面 不均匀 固定孔 铝材质 盘中心 碳化硅 体表面 散热 省略 吹气 复数 氦气 通孔 暴露 替代 | ||
1.一种刻蚀承载盘，包括盘体和盖板，所述盘体上具有复数个放置晶片的晶片凹槽以及固定盖板的固定孔，所述盖板与晶片凹槽对应位置设置暴露晶片的通孔，其特征在于，所述盘体为铝盘，所述盘体表面设置有至少一个与盘中心呈同心圆排列的第一导热槽。
2.根据权利要求1所述的一种刻蚀承载盘，其特征在于，所述盘体表面还设置有与第一导热槽交叉的放射状第二导热槽。
3.根据权利要求2所述的一种刻蚀承载盘，其特征在于，所述第二导热槽沿盘体表面横穿晶片凹槽底部。
4.根据权利要求1所述的一种刻蚀承载盘，其特征在于，所述第一导热槽的个数大于或等于晶片凹槽的圈数。
5.根据权利要求2所述的一种刻蚀承载盘，其特征在于，所述第二导热槽的个数等于外圈晶片凹槽数目。
6.根据权利要求2所述的一种刻蚀承载盘，其特征在于，所述第一导热槽的宽度为3~5毫米，所述第二导热槽的宽度为3~5毫米。
7.根据权利要求2所述的一种刻蚀承载盘，其特征在于，所述第一导热槽的深度为0.5~1毫米，所述第二导热槽的深度为0.5~1毫米。
8.根据权利要求1所述的一种刻蚀承载盘，其特征在于，所述通孔边缘为倾斜的倒角结构。
9.根据权利要求8所述的一种刻蚀承载盘，其特征在于，所述倒角的弧度为30~45度。
10.根据权利要求1所述的一种刻蚀承载盘，其特征在于，所述晶片凹槽的一侧还设置有便于取放晶片的孔状结构。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于安徽三安光电有限公司，未经安徽三安光电有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201821361333.7/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
