[实用新型]埋入式芯片

说明书

本申请提供一种埋入式芯片。该埋入式芯片包括：金属基底；金属层，设置在金属基底上，金属层内形成凹槽；芯片，设置在金属基底上，并位于凹槽中，芯片包括远离金属基底的第一芯片表面，在第一芯片表面上设置有连接端子；介质层，设置在芯片的第一芯片表面上；引出端子，与芯片的连接端子电连接，以将连接端子扇出。本申请通过将芯片设置在金属基底和金属层的凹槽中，使得芯片的多个面被金属材质包围，例如芯片包括六个面，则其五个面，包括与金属基底接触的表面以及与金属层相邻的四个侧面均被金属材质包围，由于金属的散热性良好，因此可对埋入的芯片进行有效的散热，提高了芯片的散热能力，适用于各种芯片的散热需求。

技术领域

本申请涉及芯片封装技术领域，特别涉及一种埋入式芯片。

背景技术

随着电子产品高频高速需求的发展，传统的打线封装和倒装封装互联方式难以满足高频高速信号传输的需求，因此越来越多芯片采用基板内埋入或者晶圆级的扇出工艺实现裸芯片封装，减小封装互联尺寸而实现芯片高频高速传输对信号完整性的需求。但现有技术的埋入式封装方案难以实现高散热芯片的需求。

实用新型内容

本申请主要解决的技术问题是提供一种埋入式芯片，能够提高芯片的散热效果，从而实现各种芯片的散热需求。

为解决上述技术问题，本申请采用的一个技术方案是：提供一种埋入式芯片，埋入式芯片包括：金属基底；金属层，设置在金属基底上，金属层内形成凹槽；芯片，设置在金属基底上，并位于凹槽中，芯片包括远离金属基底的第一芯片表面，在第一芯片表面上设置有连接端子；介质层，设置在芯片的第一芯片表面上；引出端子，与芯片的连接端子电连接，以将连接端子扇出。

本申请通过将芯片设置在金属基底上，并位于金属层的凹槽中，使得芯片的多个面被金属材质包围，例如芯片包括六个面，则其五个面，包括与金属基底接触的表面以及与金属层相邻的四个侧面均被金属材质包围，由于金属的散热性良好，因此可对埋入的芯片进行有效的散热，提高了芯片的散热能力，适用于各种芯片的散热需求。

附图说明

图1是本申请实施例提供的一种埋入式芯片的制造方法的流程示意图；

图2-图16是本申请实施例提供的另一种埋入式芯片的制造方法的流程示意图；

图17是本申请实施例提供的一种埋入式芯片的俯视结构示意图；

图18是图17沿着虚线B1-B2的方向剖切的剖面结构示意图；

具体实施方式

下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，以下所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。

为了使本申请实施例提供的技术方案更加清楚，以下实施例结合附图对本申请技术方案进行详细描述。

请参阅图1，图1是本申请实施例提供的一种埋入式芯片的制造方法的流程示意图。如图1所示，本实施例的制造方法包括以下步骤：

步骤S1：提供一金属基底。

步骤S2：在金属基底上设置金属层，其中，金属层内形成多个凹槽。

步骤S3：将芯片放置在金属基底上，并位于凹槽中，芯片包括远离金属基底的第一芯片表面，在第一芯片表面上设置有连接端子。

步骤S4：在芯片的第一芯片表面上设置介质层。

步骤S5：将芯片的连接端子扇出。