[实用新型]一种具有应力缓冲结构的MEMS芯片有效

专利信息
申请号: 201821364288.0 申请日: 2018-08-23
公开(公告)号: CN208898497U 公开(公告)日: 2019-05-24
发明(设计)人: 华亚平 申请(专利权)人: 安徽北方芯动联科微系统技术有限公司
主分类号: B81B7/00 分类号: B81B7/00;B81C1/00
代理公司: 蚌埠鼎力专利商标事务所有限公司 34102 代理人: 王琪
地址: 233042*** 国省代码: 安徽;34
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摘要:
搜索关键词: 应力缓冲结构 连接区 投影 本实用新型 应力缓冲 弹簧 埋氧 外框 底板连接 封装应力 外框边缘 成品率 释放孔 封装 均布 芯片 制造
【权利要求书】:

1.一种具有应力缓冲结构的MEMS芯片,其特征在于:由第一MEMS芯片和应力缓冲结构构成,应力缓冲结构通过中心埋氧与第一MEMS芯片的底板连接,所述的应力缓冲结构由连接区、应力缓冲弹簧和外框构成,应力缓冲弹簧位于外框和连接区之间,连接区的投影面积占第一MEMS芯片投影面积的1/10~1/3,应力缓冲结构上均布有释放孔,应力缓冲结构的外框边缘位于第一MEMS芯片边缘的投影区内,应力缓冲结构的投影面积小于第一MEMS芯片的投影面积;

所述的应力缓冲结构和第一MEMS芯片的底板的材料都是硅;

所述的第一MEMS芯片由盖板、MEMS结构层和底板组成,盖板、MEMS结构层和底板围成一个密封腔,可动的MEMS结构被密封在密封腔内,盖板与MEMS结构层间有绝缘层隔离,绝缘层上有金属层,金属层上覆盖有钝化层保护,钝化层上具有压焊窗。

2.根据权利要求1所述的具有应力缓冲结构的MEMS芯片,其特征在于:连接区位于应力缓冲结构的中心区域,呈圆形或方形。

3.根据权利要求1所述的具有应力缓冲结构的MEMS芯片,其特征在于:应力缓冲结构的厚度为50~500 μm;中心埋氧的厚度为0.5~3 μm。

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