[实用新型]一种衰减特性良好的激光能量衰减器有效
| 申请号： | 201821364725.9 | 申请日： | 2018-08-23 |
| 公开（公告）号： | CN208806466U | 公开（公告）日： | 2019-04-30 |
| 发明（设计）人： | 赵秀冕 | 申请（专利权）人： | 北京国科欣翼科技有限公司 |
| 主分类号： | H01S3/09 | 分类号： | H01S3/09;H01S5/042 |
| 代理公司： | 北京纽乐康知识产权代理事务所(普通合伙) 11210 | 代理人： | 秦月贞 |
| 地址： | 100000 北京市海淀区*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 激光器驱动电路 本实用新型 激光能量 衰减电路 衰减特性 衰减器 主控电路 激光器 激光衰减器 电路结构 电源连接 可控 衰减 电源 | ||
1.一种衰减特性良好的激光能量衰减器，其特征在于，包括电源，所述的电源连接有激光器驱动电路和主控电路，所述的激光器驱动电路连接有激光器，所述的激光器连接有衰减电路，所述的衰减电路连接有激光衰减器，所述的激光器驱动电路和衰减电路均与所述主控电路连接。
2.根据权利要求1所述的一种衰减特性良好的激光能量衰减器，其特征在于，所述的衰减电路包括由端子一（101）和端子二（103）组成的端口一和由端子三（102）和端子四（104）组成的端口二，所述的端子一（101）连接MOS管一（105）的源极，所述MOS管一（105）的漏极连接MOS管二（106）的源极，所述MOS管二（106）的漏极与所述端子三（102）连接，所述端子二（103）和MOS管一（105）的漏极之间连接有电容（108），所述MOS管一（105）的漏极连接MOS管三（107）的源极，所述MOS管三（107）的漏极与端子二（103）和端子四（104）连接。
3.根据权利要求1所述的一种衰减特性良好的激光能量衰减器，其特征在于，所述MOS管一（105）是n型MOS晶体管或p型MOS晶体管。
4.根据权利要求1所述的一种衰减特性良好的激光能量衰减器，其特征在于，所述MOS管二（106）是n型MOS晶体管或p型MOS晶体管。
5.根据权利要求1所述的一种衰减特性良好的激光能量衰减器，其特征在于，所述MOS管三（107）是n型MOS晶体管或p型MOS晶体管。
6.根据权利要求1所述的一种衰减特性良好的激光能量衰减器，其特征在于，所述电容（108）为可变电容。
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