[实用新型]一种真空定向提纯炉

说明书

一种真空定向提纯炉，包括炉壳，所述炉壳的上侧部分中固定有坩埚容器，坩埚容器的外侧端面包裹固定有保温层，保温层的外部置放有加热线圈，加热线圈与保温层之间布置有电磁搅拌线圈，加热线圈与电磁搅拌线圈错位分布，坩埚容器的底端平面上开设有通孔，坩埚容器的通孔中插接固定有引晶杆，坩埚容器的底部外端面上套接固定有隔热环，隔热环的底端平面上抵接固定有结晶器，结晶器套接固定在引晶杆的上侧部位。本实用新型的电磁搅拌线圈能保证坩埚容器内的高温液体持续保持在高温状态，并温度均匀，减少了对加热线圈的用电量，同时结晶器的外侧安装有炉底测温装置，可间接地测量出坩埚容器的内部温度，降低了生产成本。

技术领域

本实用新型涉及一种真空定向提纯炉。

背景技术

在电子工业领域，尤其是在光电子存储媒体、半导体器件、超导电缆等高技术领域需要使用5N至6N的高纯铝。高纯铝的纯度表示方法有两种，一种是直接写出铝含量或行业标准牌号，如99.95％,99.99％、AL99.993A％等；一种是用“数字+N”或“数字+N+数字”表示，如4N表示99.99％，4N6表示99.996％等。一般在没有说明具体的检测元素时，铝含量以中国有色金属行业标准“重熔用精铝锭YS/T665至2009”中的规定为准。

目前世界各国大多采用三层液电解精炼法、偏析原理提纯法、有机溶液电解法等来制备各种纯度的高纯或高纯铝。先进的三层液电解法提取铝的纯度基本在4N至4N8之间，但电耗一般在13000kwh/t以上，是偏析法的4至5倍左右，成本降低已经很困难，同时在电解过程中产生氟化氢、一氧化碳、二氧化硫等有害气体及废电解液严重污染环境；有机溶液电解法由于能耗高，产量低，工艺复杂，一般用于7N以上纯度超高纯铝的少量制取，不适合工业化生产。偏析原理提纯法属于物理提纯方法，根据原料、工艺和设备的不同可以用来制备3N5％至6N％纯度的高纯铝，具有能耗低、劳动强度小、无化学反应污染，使用越来越广泛。铝的偏析原理提纯法有多种实现方式，目前主要有分布结晶法、区域熔炼法、定向凝固法。分布结晶法在国外已经大量工业化使用，提纯效果取决于原铝的纯度，一般使用99.5％至99.95％的铝原料经提纯可获得3N5至4N5的高纯铝，但生产效率低，并且残留铝液对已提纯的铝存在污染，工艺和设备复杂，提纯效果有限；区域熔炼法能够获得5N5至6N的高纯铝，主要用于将三层液法或其他偏析法高纯铝进一步提纯，设备复杂，效率低下，能耗较高，不适合工业化生产。

实用新型内容

本实用新型针对现有技术的不足，提供了一种能够解决上述问题的真空定向提纯炉。

为了解决上述技术问题，本实用新型通过下述技术方案得以解决：

一种真空定向提纯炉，包括炉壳，所述炉壳分为上下两个部分，所述炉壳的上侧部分中固定有坩埚容器，坩埚容器的外侧端面包裹固定有保温层，保温层的外部置放有加热线圈，加热线圈固定安装在炉壳的内部中，加热线圈与保温层之间布置有电磁搅拌线圈，加热线圈与电磁搅拌线圈错位分布，坩埚容器的底端平面上开设有通孔，坩埚容器的通孔中插接固定有引晶杆，坩埚容器的底部外端面上套接固定有隔热环，隔热环的底端平面上抵接固定有结晶器，结晶器套接固定在引晶杆的上侧部位，引晶杆的下侧部位插接固定在炉壳的下侧部分中。

所述炉壳的下侧部分内固定安装有支撑架，炉壳的支撑架上固定安装有减速机，减速机的一端固定连接有高速马达；另一端固定连接有伺服马达，减速机的顶部配合连接有下拉丝杆，下拉丝杆的顶部插入到引晶杆的内部中。

所述结晶器的外侧安装有炉底测温装置。

所述炉壳的炉壁为双层结构，炉壳的外层炉壁与内层炉壁固定形成一体结构，且外层炉壁与内层炉壁之间留有间距。

所述炉壳的顶部上固定安装有打开炉门机构，打开炉门机构的一端边框铰接在炉壳的顶部边框上；另一端扣接固定在炉壳顶部的另一侧边框上。

所述打开炉门机构的外侧端面上固定安装有观察孔3。