[实用新型]沟槽型二极管器件有效
| 申请号： | 201821370886.9 | 申请日： | 2018-08-24 |
| 公开（公告）号： | CN208674062U | 公开（公告）日： | 2019-03-29 |
| 发明（设计）人： | 赖海波;徐承福;朱开兴 | 申请（专利权）人： | 福建龙夏电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/329 | 分类号： | H01L21/329;H01L29/872 |
| 代理公司： | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 孙佳胤;董琳 |
| 地址： | 364012 福建省龙岩市新罗*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 元胞沟槽 沟槽型二极管 电极层 介质层 衬底 半导体 本实用新型 介质层表面 导通电阻 击穿电压 阵列分布 逐渐减小 逐渐增大 内壁 覆盖 | ||
1.一种沟槽型二极管器件，其特征在于，包括：
半导体衬底；
位于半导体衬底内的阵列分布的元胞沟槽；
覆盖所述元胞沟槽内壁的介质层，所述介质层的厚度自元胞沟槽顶部向下逐渐增大；
位于所述介质层表面且填充满所述元胞沟槽的电极层，所述电极层的宽度自元胞沟槽顶部向下逐渐减小。
2.根据权利要求1所述的沟槽型二极管器件，其特征在于，所述介质层自元胞沟槽顶部向下包括两个以上的子介质层，不同子介质层厚度自元胞沟槽顶部向下逐渐增大。
3.根据权利要求2所述的沟槽型二极管器件，其特征在于，所述介质层包括2～5个子介质层。
4.根据权利要求2所述的沟槽型二极管器件，其特征在于，所述介质层自元胞沟槽顶部向下包括N个子介质层，自顶部向下第n个子介质层的厚度为dn，Vn/dn＝Vn-1/dn-1，Vn为第n个子介质层底部处的电位，n＝1，2，……，N。
5.根据权利要求1所述的沟槽型二极管器件，其特征在于，还包括：位于半导体衬底内的终端沟槽，所述终端沟槽围绕所述元胞沟槽设置；覆盖所述终端沟槽内壁的介质层，位于所述终端沟槽靠近元胞沟槽一侧侧壁表面的介质层与元胞沟槽侧壁表面的介质层厚度与形貌对称；填充所述终端沟槽的电极层。
6.根据权利要求5所述的沟槽型二极管器件，其特征在于，所述元胞沟槽和终端沟槽的侧壁倾斜，使得元胞沟槽和终端沟槽的顶部宽度大于底部宽度。
7.根据权利要求1所述的沟槽型二极管器件，其特征在于，所述元胞沟槽以等边三角形阵列分布，所述元胞沟槽的横截面为圆形或多边形。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
