[实用新型]短路保护的检测电路

权利要求书

1.一种短路保护的检测电路，包括比较器，所述比较器，对开关管的漏极电压与短路保护阈值电压进行比较，并输出比较结果信号，用以完成短路保护功能，其特征在于：还包括正温度系数电流生成电路和短路保护阈值生成电路，

所述正温度系数电流生成电路，利用镜像将检测电流分为两路并分别降落在构成的单位晶体管数量不同的两个双极性晶体管上，然后通过第一电阻转化成用于短路保护阈值补偿的正温度系数电流，通过正温度系数电流生成电路的输出端提供给短路保护阈值生成电路；

所述短路保护阈值生成电路，利用镜像将正温度系数电流分为两路并分别降落在单位电阻构成数量不同的第二电阻与第三电阻上，匹配生成与开关管漏极检测电压温度系数吻合的短路保护阈值电压。

2.根据权利要求1所述的短路保护的检测电路，其特征在于：所述正温度系数电流生成电路，由MOS管PM4、MOS管PM5、MOS管NM3、MOS管NM4、晶体管B1、晶体管B2和电阻R2构成，MOS管PM4、PM5为两个PMOS管，MOS管NM3、NM4为两个NMOS管，晶体管B1、B2为两个双极型NPN晶体管，其连接关系是，MOS管PM4和MOS管PM5的源极均接电源端VCC，MOS管PM4的栅极和MOS管PM5的栅极连接在一起，并引出作为第一电流镜的驱动控制端；第一电流镜的驱动控制端还与MOS管PM5的漏极及MOS管NM4的漏极连接在一起，再引出作为正温度系数电流生成电路的输出端；MOS管NM4的栅极、MOS管NM3的栅极和漏极与MOS管PM4的漏极连接在一起，并引出作为正温度系数电流生成电路的驱动控制端；MOS管NM3的源极与晶体管B1的集电极和基极相连，MOS管NM4的源极与晶体管B2的集电极相连，晶体管B1的基极与晶体管B2的基极连接，晶体管B2的发射极接至电阻R2的一端，电阻R2的另一端和晶体管B1的发射极均接至地端GND，其中，晶体管B2是由两个以上的单位双极型NPN晶体管并联构成。

3.根据权利要求2所述的短路保护的检测电路，其特征在于：所述正温度系数电流生成电路的晶体管B2，单位双极型NPN晶体管并联的数量为3个。

4.根据权利要求1所述的短路保护的检测电路，其特征在于：所述短路保护阈值生成电路，由MOS管PM6、MOS管PM7、MOS管NM2、电容C1、电容C2、电阻R3和电阻R4组成，MOS管PM6、MOS管PM7为两个PMOS管，MOS管NM2为一个高压NMOS管，其连接关系是，MOS管PM6和MOS管PM7的源极均接电源端VCC，MOS管PM6和MOS管PM7的栅极连接在一起，还连接正温度系数电流生成电路的输出端；MOS管PM6的漏极与电容C1的一端、电阻R3的一端连接于一个第一输出节点，第一输出节点用于提供匹配生成的短路保护阈值给比较器的反相输入端；电容C1与电阻R3的另一端均接至地端GND，MOS管PM7的漏极与电容C2的一端、电阻R4的一端连接于一个第二输出节点，第二输出节点用于提供开关管漏极的检测电压给比较器的正相输入端；电容C2的另一端接至地端GND，电阻R4的另一端与MOS管NM2的源极相连，MOS管NM2的栅极接电源端VCC，MOS管NM2的漏极接开关管的漏极，用于检测开关管的漏极电压。

5.根据权利要求1所述的短路保护的检测电路，其特征在于：还包括启动电路，启动电路控制检测电路在电源电压达到启动点后才工作，且检测电路工作后启动电路关断；所述启动电路，由MOS管PM1、MOS管PM2、MOS管PM3及电阻R1组成，MOS管PM1、MOS管PM2、MOS管PM3为三个PMOS管，其连接关系是，MOS管PM1和MOS管PM2的源极均接电源端VCC，MOS管PM1的栅极引出作为偏置电压提供端，MOS管PM2的漏极引出作为上电保护关断控制端；MOS管PM1的漏极、MOS管PM2的栅极与MOS管PM3的源极连接，MOS管PM3的栅极与其漏极连接后一起接至电阻R1的一端，电阻R1的另一端与地端GND连接。