[实用新型]一种硅-玻璃密封的黑硅表面红外光源芯片有效
| 申请号： | 201821380692.7 | 申请日： | 2018-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN208898498U | 公开（公告）日： | 2019-05-24 |
| 发明（设计）人： | 蒋一博;伞海生;李晓波 | 申请（专利权）人： | 杭州北芯传感科技有限公司 |
| 主分类号： | B81B7/00 | 分类号： | B81B7/00;B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京方安思达知识产权代理有限公司 11472 | 代理人： | 王宇杨 |
| 地址： | 311200 浙江省杭州市萧山区萧*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 多晶硅层 玻璃晶片 电加热 红外光源芯片 玻璃密封 金属电极 黑硅 发光薄膜 背离 本实用新型 隔离氧化硅 红外反射层 电源连接 光电效率 硅器件层 密闭空腔 阳极键合 依次设置 多晶硅 黑硅层 抗氧化 耐高温 高阻 基底 沉积 调制 金属 芯片 外部 覆盖 | ||
1.一种硅-玻璃密封的黑硅表面红外光源芯片，其特征在于，包括通过阳极键合的发光薄膜和玻璃晶片；所述发光薄膜包括依次设置的多晶硅层、隔离氧化硅层、硅器件层和黑硅层；所述玻璃晶片上设置有凹槽；所述多晶硅层中部为电加热多晶硅层，所述多晶硅层的外缘为高阻多晶硅层，所述电加热多晶硅层覆盖在玻璃晶片的凹槽上方形成密闭空腔；所述电加热多晶硅层背离玻璃晶片的一侧设置有金属电极，所述金属电极背离电加热多晶硅层的一侧与电源连接，所述电加热多晶硅层通过金属电极与外部相连；所述玻璃晶片的凹槽底部或玻璃晶片的基底上沉积有金属红外反射层。
2.根据权利要求1所述硅-玻璃密封的黑硅表面红外光源芯片，其特征在于，所述高阻多晶硅层为：厚度250～1000nm的多晶硅层；所述电加热多晶硅层为：厚度为250～1000nm的低电阻多晶硅层。
3.根据权利要求1所述硅-玻璃密封的黑硅表面红外光源芯片，其特征在于，所述密闭空腔内为真空，或充有氮气或惰性气体。
4.根据权利要求1所述硅-玻璃密封的黑硅表面红外光源芯片，其特征在于，所述硅器件层为高阻p型硅材料，厚度为1～6μm，能实现1.5～20μm波长的中远红外光90％以上的透过率。
5.根据权利要求1所述硅-玻璃密封的黑硅表面红外光源芯片，其特征在于，所述玻璃晶片(1)为高硼硅玻璃，所述玻璃晶片与硅器件层具有相近的热膨胀系数。
6.根据权利要求1所述硅-玻璃密封的黑硅表面红外光源芯片，其特征在于，所述红外反射层为具有反射1.5～20μm波长的中远红外光能力的材料。
7.根据权利要求1所述硅-玻璃密封的黑硅表面红外光源芯片，其特征在于，所述黑硅层为厚度为20～1000nm的“纳米硅草”结构。
8.根据权利要求1所述硅-玻璃密封的黑硅表面红外光源芯片，其特征在于，所述金属电极为长条矩形，位于密闭空腔上方发光薄膜两侧，并且金属电极长度与玻璃晶片上的方形凹槽长度一致，宽度为50～300μm，厚度为2μm，金属电极材料为金或铝。
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