[实用新型]基于单(6-巯基-6-去氧)-β-环糊精的L-半胱氨酸传感器有效
| 申请号： | 201821387622.4 | 申请日： | 2018-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN209231256U | 公开（公告）日： | 2019-08-09 |
| 发明（设计）人： | 曹忠;王煜;于鑫垚;肖忠良;冯泽猛;印遇龙 | 申请（专利权）人： | 长沙理工大学 |
| 主分类号： | G01N27/26 | 分类号： | G01N27/26;G01N27/327 |
| 代理公司： | 北京天奇智新知识产权代理有限公司 11340 | 代理人： | 刘佳芳 |
| 地址： | 410114 湖南省*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 金电极 环糊精 巯基 场效应晶体管 栅极延长 传感器 本实用新型 半胱氨酸 金膜层 分子间作用力 选择性识别 表面组装 电极表面 放大作用 灵敏检测 原位信号 超分子 膜电位 延长栅 自组装 吸附 修饰 简易 | ||
【权利要求书】：
1.基于单(6-巯基-6-去氧)-β-环糊精的L-半胱氨酸传感器，所述传感器包括场效应晶体管，所述场效应晶体管上设有栅极延长的金电极，其特征在于，所述栅极延长的金电极中，所述栅极部分延长0.1—500mm的距离，金电极的金膜层(10)表面组装有单(6-巯基-6-去氧)-β-环糊精膜(12)。
2.如权利要求1所述的传感器，其特征在于，所述场效应晶体管包括Si基底层(1)和设于Si基底层(1)上的多晶硅栅极(7)；所述Si基底层(1)上植入p阱(2)和N型衬底(3)，所述p阱(2)处设有源电极(4)和漏电极(5)，被植入p阱(2)和N型衬底(3)并构建有源电极(4)和漏电极(5)的Si基底层(1)上设有二氧化硅层(6)；所述多晶硅栅极(7)的基底层上依次镀上铝铜合金层(8)、铬钯合金层(9)和金膜层(10)；在多晶硅栅极(7)的基底层和二氧化硅层(6)上还设有氮化硅层(11)。
3.如权利要求2所述的传感器，其特征在于，所述铝铜合金层(8)的厚度为20—600nm，铬钯合金层(9)的厚度为20—600nm，金膜层(10)的厚度为20—1000nm。
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