[实用新型]一种提高STEP-DOWN负载电流检测精度的电路有效
申请号: | 201821391725.8 | 申请日: | 2018-08-28 |
公开(公告)号: | CN208818756U | 公开(公告)日: | 2019-05-03 |
发明(设计)人: | 李河清;姜帆;刘玉山;陈利 | 申请(专利权)人: | 厦门安斯通微电子技术有限公司 |
主分类号: | G01R19/00 | 分类号: | G01R19/00;G01R1/28 |
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地址: | 361011 福建省厦门市厦门湖*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 负载电流检测 电流源 采样滤波电路 采样电容 电感电流 负载电流 滤波电容 滤波电阻 电路 负载电流检测电路 放大器 电流检测电路 输入信号缓冲 本实用新型 低通滤波器 采样保持 采样电流 采样电阻 导通期间 电流检测 电流信号 负载检测 输出电路 应用电路 主体电路 恒定的 并联 放电 低边 高边 外围 截止 检测 引入 应用 | ||
一种提高STEP‑DOWN负载电流检测精度的电路,包括电流检测主体电路、输出电路、采样滤波电路、采样电流应用举例和外围应用电路部分;所述采样滤波电路包括输入信号缓冲放大器、采样电阻、采样电容、滤波电容、滤波电阻、第三开关、第四开关和电流源;所述第四开关和电流源用于提高负载检测电流的精度,与所述采样电容并联;所述滤波电容和滤波电阻构成低通滤波器。本实用新型在负载电流检测电路中引入一个恒定的电流源,在高边PMOS管截止低边NMOS管导通期间对采样保持的电流信号(电感电流的最大值)进行放电,模拟实际的电感电流,使电流检测电路检测到的负载电流更接近实际的负载电流,从而消除现有负载电流检测技术带来的误差。
技术领域
本实用新型涉及一种集成电路,特别提供一种提高STEP-DOWN负载电流检测精度的电路。
背景技术
对于STEP-DOWN 拓扑结构,当需要检测负载电流时,现有技术的方案是采用一个与高边PMOS管成一定比例的PMOS管形成镜像结构,该PMOS管称为检测管。该方案在高边PMOS管导通周期内可以准确的检测负载电流;但在高边PMOS管截止、低边NMOS管续流管导通周期内,由于采样保持电路保持的电流信号是高边PMOS管截止,低边NMOS管续流管还没有导通时刻的高边PMOS管的峰值电流,而不是电感(负载)的实时电流,会造成这个期间内检测的电流不准确。若用这个不准确的电流信号控制后续系统的操作,则可能会使整个系统产生误动作。比如当检测到的电流比实际值偏大时,则会使整个系统提前进入限流状态,若检测到的电流比实际负载电流偏小时,则会使系统提前由连续工作模式进入断续工作模式工作,影响系统的效率,严重时会导致系统不能正常工作。
实用新型内容
为了解决上述问题,本实用新型的目的是提供了一种提高STEP-DOWN负载电流检测精度的电路。
为达到上述目的,本实用新型的技术方案如下:一种提高STEP-DOWN负载电流检测精度的电路,包括电流检测主体电路、输出电路、采样滤波电路和采样电流应用举例部分和外围应用电路;
所述电流检测主体电路包括检测管(Qsen)、第一开关(SW1)、第二开关(SW2)、PMOS管(Q1)和误差放大器(OP);所述检测管(Qsen)的栅极接地电位,源极连接外部输入电压(VIN),漏极连接PMOS管(Q1)的源极,所述PMOS管(Q1)的栅极连接误差放大器(OP)的输出端,所述误差放大器(OP)的同相输入端连接在检测管(Qsen)和PMOS管(Q1)之间,反相输入端连接第一开关(SW1)和第二开关(SW2);所述第二开关(SW2)连接外部输入电压(VIN);
所述输出电路包括高边PMOS管(QP)和低边NMOS管(QN);所述高边PMOS管(QP)的源极接外部输入电压(VIN),漏极与低边NMOS管(QN)的漏极连接在一起后接所述电流检测主体电路中的第一开关(SW1);所述低边NMOS管(QN)的源极接地电位;
所述外围应用电路包括外部电感(L)和负载电容(Cload);所述外部电感(L)一端接于高边PMOS管(QP)和低边NMOS管(QN)之间,另一端接输出电压(VOUT);所述负载电容(Cload)跨接在外部电感(L)和地之间;
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