[实用新型]一种高浪涌电流能力碳化硅二极管有效
| 申请号： | 201821397084.7 | 申请日： | 2018-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN208608203U | 公开（公告）日： | 2019-03-15 |
| 发明（设计）人： | 朱袁正;周锦程;杨卓;叶鹏 | 申请（专利权）人： | 无锡新洁能股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/06;H01L21/04 |
| 代理公司： | 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104 | 代理人： | 曹祖良 |
| 地址： | 214131 江苏省无锡市滨湖区高浪东路999号*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 浪涌电流 高阻区 碳化硅二极管 碳化硅外延层 本实用新型 外延层 穿过 导通工作状态 半导体基板 半导体器件 上表面 下表面 邻接 延伸 衬底 高阻 制造 | ||
1.一种高浪涌电流能力碳化硅二极管，包括半导体基板，所述半导体基板包括N型碳化硅衬底及位于N型碳化硅衬底上的N型碳化硅外延层，在所述N型碳化硅外延层内的上部设有若干个P型阱区，其特征在于，在所述P型阱区下方或下表面设有N型高阻区，在P型阱区内设有多个沟槽，位于P型阱区边缘的沟槽与N型碳化硅外延层邻接，且沟槽从半导体基板的上表面穿过P型阱区延伸到N型高阻区内或依次穿过P型阱区、N型高阻区延伸到N型碳化硅外延层内，所述沟槽内填充有绝缘介质层。
2.根据权利要求1所述的一种高浪涌电流能力碳化硅二极管，其特征在于：在所述半导体基板的上表面设有阳极金属，所述阳极金属与所述N型外延层肖特基接触，与P型阱区欧姆接触；在所述半导体基板的下表面设有阴极金属，所述阴极金属与N型碳化硅衬底欧姆接触。
3.根据权利要求2所述的一种高浪涌电流能力碳化硅二极管，其特征在于：所述沟槽内设有导电多晶硅及包裹导电多晶硅的绝缘介质层，所述导电多晶硅与阳极金属电连接。
4.根据权利要求1所述的一种高浪涌电流能力碳化硅二极管，其特征在于：所述N型高阻区的电阻率大于N型碳化硅外延层的电阻率。
5.根据权利要求1所述的一种高浪涌电流能力碳化硅二极管，其特征在于：在相邻的P型阱区间设有N型阱区，所述N型阱区与沟槽邻接，所述N型阱区的电阻率小于N型高阻区的电阻率，所述N型阱区的电阻率等于N型碳化硅外延层的电阻率或小于N型碳化硅外延层的电阻率。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于无锡新洁能股份有限公司，未经无锡新洁能股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201821397084.7/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：显示面板、显示屏及显示终端
- 下一篇：高浪涌电流能力碳化硅二极管
- 同类专利
- 专利分类
