[实用新型]高浪涌电流能力碳化硅二极管有效
| 申请号： | 201821397087.0 | 申请日： | 2018-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN208608204U | 公开（公告）日： | 2019-03-15 |
| 发明（设计）人： | 朱袁正;杨卓;周锦程;叶鹏 | 申请（专利权）人： | 无锡新洁能股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/06;H01L21/329 |
| 代理公司： | 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104 | 代理人： | 曹祖良 |
| 地址： | 214131 江苏省无锡市滨湖区高浪东路999号*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 浪涌电流 高阻区 外延层 碳化硅二极管 半导体基板 本实用新型 电阻率 衬底 导通工作状态 半导体器件 下表面 高阻 制造 | ||
【权利要求书】：
1.一种高浪涌电流能力碳化硅二极管，包括半导体基板，所述半导体基板包括N型碳化硅衬底及位于N型碳化硅衬底上的N型碳化硅外延层，在所述N型碳化硅外延层内的上部设有若干个P型阱区，其特征在于，在所述P型阱区下方或下表面设有N型高阻区，所述N型高阻区的电阻率大于N型碳化硅外延层的电阻率。
2.根据权利要求1所述的一种高浪涌电流能力碳化硅二极管，其特征在于：在N型高阻区内设有若干个均匀间隔的块状P型区，且块状P型区从N型高阻区与P型阱区交界处延伸到N型高阻区内或穿过N型高阻区延伸到N型碳化硅外延层内。
3.根据权利要求2所述的一种高浪涌电流能力碳化硅二极管，其特征在于：所述块状P型区的宽度不大于N型高阻区的厚度。
4.根据权利要求1所述的一种高浪涌电流能力碳化硅二极管，其特征在于：在所述半导体基板的上表面设有阳极金属，所述阳极金属与所述N型外延层肖特基接触，与P型阱区欧姆接触；在所述半导体基板的下表面设有阴极金属，所述阴极金属与N型碳化硅衬底欧姆接触。
5.根据权利要求1所述的一种高浪涌电流能力碳化硅二极管，其特征在于：在相邻的P型阱区间设有N型阱区，所述N型阱区的电阻率等于N型碳化硅外延层的电阻率或小于N型碳化硅外延层的电阻率。
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