[实用新型]一种用于微光显示的硅基OLED显示驱动电路

说明书

本实用新型涉及一种用于微光显示的硅基OLED显示驱动电路，属于微电子显示技术领域，该驱动电路包含驱动电路单元，驱动电路单元包含MOS管Q1，MOS管Q5，MOS管Q2和MOS管Q4；MOS管Q1的源极接电源电压VDD，MOS管Q1的漏极连接至MOS管Q2的栅极；MOS管Q2的漏极连接至MOS管Q4的源极，MOS管Q2的源极连接至MOS管Q5的漏极，MOS管Q5的源极连接至电源电压VDD；MOS管Q4的漏极连接至硅基OLED的正极，硅基OLED的负极连接至参考电压Vcom，MOS管Q4的栅极接地；所述MOS管Q1的栅极连接至第一控制端，所述MOS管Q5的栅极连接至第二控制端。本实用新型的显示驱动电路能够提高OLED驱动电流的稳定性，提高硅基OLED显示亮度的均匀性。

技术领域

本实用新型属于微电子显示技术领域，涉及一种用于微光显示的硅基OLED显示驱动电路。

背景技术

有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode，OLED)为电流驱动器件，要求背板电路能提供精确、稳定的电流控制。早期的有源背板采用的是非晶硅(amorphoussilicon，a-Si)TFT技术，但是由于非晶硅的迁移率较低及阈值电压的不稳定等原因，使其没有获得成功。相比非晶硅而言，低温多晶硅(Low Temperature Poly-Silicon，LTPS)TFT的迁移率要高得多，但是阈值电压仍存在均匀性不一致的问题，所以需要在像素电路的设计中进行一定的电路补偿，目前已有的OLED显示器大部分采用的都是LTPS TFT背板技术。而在大尺寸OLED量产方面，LTPS的制造技术尚不成熟，没有统一的标准生产线，要制备LTPSTFT背板必须投巨资建造专用生产线。

硅基OLED微显示技术是OLED光电子技术与硅基集成电路微电子技术的结合，主要应用在微显示领域。是利用成熟的CMOS集成电路工艺，芯片制作完好后，再进行OLED器件的制作，提高了整个显示器的良率。OLED作为新一代显示技术，具有主动发光、视角宽、驱动电压低、发光效率高、响应速度快、功耗低、OLED为全固态器件，不需要加热和冷却就可以工作在-40℃～+70℃的温度范围内，并且能够实现柔性显示特点，具有很广阔的前景。OLED微显示器体积小，非常便于携带，并且其凭借小体积提供的近眼显示效果可以与大尺寸AMOLED显示器相媲美。

硅基OLED微型显示器件采用单晶硅CMOS基板技术，相比其他基板技术而言，单晶硅具有载流子迁移率高、阈值电压稳定等优点，可以将像素矩阵及周边驱动电路等都集成在显示屏上，大大减小整个显示系统的体积及成本，同时成熟的CMOS集成电路工艺也为硅基OLED微型显示器件的基板制作提供了便利，且单晶硅CMOS基板生产工艺流程标准化，仅需支付小额的加工费用就可以在任何一家标准的单晶硅CMOS基板生产线上制备基板。

同时硅基OLED基板上的每个像素面积可以做得很小，利于显示分辨率的提高。在单晶硅CMOS基板芯片的设计上，主要考虑的是如何精确控制流过OLED的电流，从而实现良好的灰度图象显示。同时芯片功耗也非常重要，因为硅基OLED微型显示器件也就可以用于便携式近眼显示，由普通手机电池供电，低功耗电路可延长电池的使用寿命。

实用新型内容

有鉴于此，本实用新型的目的在于提供一种用于微光显示的硅基OLED显示驱动电路，在保证稳定驱动电流的同时，简化电路结构，缩减整个电路的制造成本。

为达到上述目的，本实用新型提供如下技术方案：

一种用于微光显示的硅基OLED显示驱动电路，该驱动电路包含驱动电路单元，所述驱动电路单元包含MOS管Q1，MOS管Q5，MOS管Q2和MOS管Q4；

所述MOS管Q1的源极接电源电压VDD，MOS管Q1的漏极连接至MOS管Q2的栅极；

所述MOS管Q2的漏极连接至MOS管Q4的源极，MOS管Q2的源极连接至MOS管Q5的漏极，MOS管Q5的源极连接至电源电压VDD；