[实用新型]一种超宽频发声装置

说明书

本实用新型实施例公开了一种超宽频发声装置，该超宽频发声装置包括：有源发声器件；其中，有源发声器件为中低频发声器件或高频发声器件；无源发声器件；其中，无源发声器件为中低频发声器件或高频发声器件；音腔；其中，有源发声器件和无源发声器件均设置于音腔中。

技术领域

本实用新型涉及超宽频技术领域，尤其涉及一种超宽频发声装置。

背景技术

2G或3G通话技术使用的音频范围为300Hz-3.4KHz，VoLTE使用的音频范围为50Hz-7KHz，音频范围更广，这样使得音域较高的声音可以被清楚的呈现。同时，宽频(Wide Band，WB)和超宽频(Super Wide Band，SWB)语音技术的应用能够用于通话音效的提高，该技术的带宽是传统通话的四倍，是高清语音通话音频带宽的两倍。

虽然现有技术已经从软件方面实现了超宽频协议，然而，在硬件方面却没有相关的器件来实现超宽频，从而并不能真正的扩大音频范围，也不能提高声音效果。

实用新型内容

有鉴于此，本实用新型实施例提供了一种超宽频发声装置，能够扩大音频范围，从而可以有效地提高声音效果。

本实用新型实施例的技术方案是这样实现的：

本实用新型实施例提供了一种超宽频发声装置，所述超宽频发声装置包括：

有源发声器件；其中，所述有源发声器件为中低频发声器件或高频发声器件；

无源发声器件；其中，所述无源发声器件为所述中低频发声器件或所述高频发声器件；

音腔；其中，所述有源发声器件和所述无源发声器件均设置于所述音腔中。

在上述方案中，所述有源发声器件配置有第一球顶、第一振膜、音圈、华司、磁铁、盆架；其中，所述第一球顶粘接至所述第一振膜上。

在上述方案中，所述无源发声器件配置有第二球顶和第二振膜；其中，所述第二球顶粘接至所述第二振膜上。

在上述方案中，所述有源发声器件中的所述音圈进行震动时在所述音腔中产生气流。

在上述方案中，所述音腔中的所述气流策动所述无源发声器件中的所述第二振膜进行振动。

在上述方案中，当所述有源发声器件为中低频发声器件时，

所述华司包括环形华司和中心华司；

所述磁铁包括边磁铁和中心磁铁。

在上述方案中，当所述有源发声器件为高频发声器件时，

所述第一球顶为跑道型下凹式；

所述第一振膜的中心为镂空式；

所述华司的中心为镂空式。

在上述方案中，当所述无源发声器件作为高频发声器件时，

所述第二球顶为跑道型下凹式；

所述第二振膜的中心为镂空式。

在上述方案中，所述超宽频发声装置还包括：隔离器件，

所述隔离器件设置于所述音腔中；其中，所述隔离器件为楔形。

在上述方案中，所述有源发声器件还配置有外壳，焊盘以及盆架。