[实用新型]一种晶闸管过压保护电路

说明书

本实用新型公开了一种晶闸管过压保护电路，包括：晶闸管、第一高速二极管、第二高速二极管、TVS管、击穿二极管、电路负载；击穿二极管阳极与晶闸管阳极连接且与电源连通，击穿二极管阴极与TVS管的一端连接，TVS管的另一端与第一高速二极管的一端连接，第一高速二极管的另一端与晶闸管门极连接，第二高速二极管与第一高速二极管并联设置，一端与晶闸管门极连接，另一端与信号输入端连接，电路负载的一端接地，另一端与晶闸管阴极连接；该保护电路，通过击穿二极管、TVS管和第一高速二极管串联组成保护支路，当晶闸管阳极电压到达一定数值后，可使击穿二极管击穿导通，再利用TVS管的稳压特性使晶闸管进行打开导通，避免晶闸管处于高压状态击穿损坏。

技术领域

本实用新型涉及晶闸管保护电路技术领域，具体为一种晶闸管过压保护电路。

背景技术

晶闸管是一种开关元件，能在高电压、大电流条件下工作，并且其工作过程可以控制、被广泛应用于可控整流、交流调压、无触点电子开关、逆变及变频等电子电路中，是典型的小电流控制大电流的设备。

由于晶闸管本身是属于比较昂贵器件，如果晶闸管处于高压而门极又无控制信号时，晶闸管将被击穿，造成晶闸管本身损坏，造成了资源的浪费、成本的增加。

现有的对晶闸管保护电路主要是通过R-C阻容吸收回路，或者使用压敏电阻，硒堆等非线性器件进行抑制；R-C阻容吸收回路，主要适合容量较小装置，不适应大容量装置电路，而压敏电阻是持续平均功率太小（仅数瓦），不适应频繁出现过电压的电路，硒堆则体积较大且长期放置不用会失效。

实用新型内容

基于此，本实用新型提供了一种晶闸管过压保护电路。

一种晶闸管过压保护电路，包括：晶闸管、第一高速二极管、第二高速二极管、TVS管、击穿二极管、电路负载；所述击穿二极管阳极与晶闸管阳极连接且与电源连通，击穿二极管阴极与所述TVS管的一端连接，所述TVS管的另一端与所述第一高速二极管的一端连接，所述第一高速二极管的另一端与晶闸管门极连接，所述第二高速二极管与第一高速二极管并联设置，一端与晶闸管门极连接，另一端与信号输入端连接，所述电路负载的一端接地，另一端与所述晶闸管阴极连接。

其中一个实施例为，所述一种晶闸管过压保护电路还包括电阻，所述电阻与所述击穿二极管并联连接。

上述一种晶闸管过压保护电路，通过击穿二极管、TVS管和第一高速二极管串联组成保护支路，当晶闸管阳极电压到达一定数值后，可使击穿二极管击穿导通，再利用TVS管的稳压特性和快速响应导通特性，使该支路控制电压保持在一定数值，从而输入到晶闸管门极，使晶闸管进行打开导通，避免晶闸管处于高压状态击穿损坏，且电路结构简单，能长期在高电压、大功率的环境下工作，适用性强。

附图说明

图1为本实用新型一实施例一种晶闸管过压保护电路电路原理图。

如附图所示：晶闸管Q1、第一高速二极管D1、第二高速二极管D2、TVS管D3、击穿二极管D4、电路负载RL、电阻R1、 晶闸管阳极A、晶闸管阴极K、晶闸管门极G。

具体实施方式

为使本实用新型的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本实用新型的具体实施方式做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本实用新型。但是本实用新型能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本实用新型内涵的情况下做类似改进，因此本实用新型不受下面公开的具体实施例的限制。

需要说明的是，当元件被称为“固定于”或“设置于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。本文所使用的术语“垂直的”、“水平的”、“左”、“右”以及类似的表述只是为了说明的目的，并不表示是唯一的实施方式。