[实用新型]一种侧面发光的LED芯片及显示装置

说明书

本实用新型公开了一种侧面发光的LED芯片及显示装置，包括：衬底；设置在所述衬底上的缓冲层；设置在所述缓冲层上，且呈水平排列的P‑N结；所述水平排列的P‑N结中设置有发光层；所述P‑N结上设置有电流扩散层；所述电流扩散层上设置有若干个凸点。本实用新型的LED芯片将传统的呈垂直分布的P‑N结改为水平分布的P‑N结，使LED芯片可以从侧面发光，从而实现超大光强角，获得超大近场光斑。

技术领域

本实用新型涉及LED芯片技术领域，具体涉及一种侧面发光的LED芯片及显示装置。

背景技术

LED芯片是一种固态的半导体器件，LED芯片的心脏是一个半导体晶片，也就是指的P-N结。半导体晶片由两部分组成，一部分是P型半导体，另一端是N型半导体，当这两种半导体连接起来的时候，它们之间就形成一个P-N结。

但是现有的LED芯片P-N结为垂直结构，如图1所示，发光面朝上且呈近朗伯分布。当LED芯片搭配透镜后，光强虽呈蝙蝠翼形分布，实际光斑直径较小（一般小于200mm），不能实现近距离超大光斑，发光效果不理想。

因此，现有技术还有待于改进和发展。

实用新型内容

本实用新型要解决的技术问题在于，针对现有技术的上述缺陷，提供一种侧面发光的LED芯片及显示装置，旨在解决现有技术中的LED芯片中的P-N结呈垂直分布、发光面朝上，导致光斑直径小，无法实现近距离超大光斑等问题。

本实用新型解决技术问题所采用的技术方案如下：

一种侧面发光的LED芯片，其中，所述LED芯片包括：衬底；设置在所述衬底上的缓冲层；设置在所述缓冲层上，且呈水平排列的P-N结；所述水平排列的P-N结中设置有发光层；所述P-N结上设置有电流扩散层；所述电流扩散层上设置有若干个凸点。

所述的侧面发光的LED芯片，其中，所述P-N结包括：由P型层与N型层组成的核壳结构或者多量子阱结构。

所述的侧面发光的LED芯片，其中，所述P型层与N型层之间形成P-N结结区。

所述的侧面发光的LED芯片，其中，所述P型层与N型层之间的P-N结结区设置有发光层。

所述的侧面发光的LED芯片，其中，所述电流扩散层沿着P型层与N型层的上表面进行设置，并对所述P型层与N型层进行覆盖。

所述的侧面发光的LED芯片，其中，所述凸点包括：P凸点以及N凸点，所述P凸点设置在P型层的电流扩散层上；所述N凸点设置在N型层的电流扩散层上。

所述的侧面发光的LED芯片，其中，所述电流扩散层上还设置有用于将正上方的出光进行反射的反射镜层。

所述的侧面发光的LED芯片，其中，所述LED芯片为倒装焊芯片结构。

所述的侧面发光的LED芯片，其中，所述LED芯片为采用侧面出光封装LED芯片，或者采用CSP方式进行封装的LED芯片。

一种显示装置，其中，所述显示装置包括上述的侧面发光的LED芯片。

本实用新型的有益效果：本实用新型的LED芯片将传统的呈垂直分布的P-N结改为水平分布的P-N结，使LED芯片可以从侧面发光，从而实现超大光强角，获得超大近场光斑。

附图说明

图1是现有技术中P-N结呈垂直分布的LED芯片的结构示意图。

图2是本实用新型侧面发光的LED芯片第一较佳实施例的侧视图。

图3是本实用新型侧面发光的LED芯片第一较佳实施例的俯视图。

图4是本实用新型侧面发光的LED芯片第二较佳实施例的侧视图。