[实用新型]一种CVD金刚石膜片

说明书

本实用新型公开了一种CVD金刚石膜片，其由上而下依次包括第一硬质合金层、第一散热层、第一泡沫铝层、CVD金刚石层、第二散热层、第二泡沫铝层和第二硬质合金层，所述第一硬质合金层的中间部位上设有第一连接槽，所述第一散热层和第一泡沫铝层的中间部位分别设有相互连通的第一通孔和第二通孔，所述所述多晶金刚石层一侧的中间部位焊接有第一连接柱，另一侧的中间部位焊接有第二连接柱，所述第二散热层和第二泡沫铝层的中间部位分别设有相互连通的第三通孔和第四通孔，所述第二硬质合金层中间部位上设有第二连接槽。本实用新型大大提高了CVD金刚石膜片的强度，并且散热效率非常好。

技术领域

本实用新型涉及一种金刚石膜片，具体涉及一种CVD金刚石膜片。

背景技术

人造钻石是一种由直径10到30纳米的钻石结晶聚合而成的多结晶钻石，早期的人造钻石由于空气中的氮原子进入钻石晶体而呈淡淡的糖稀颜色，经过科学家的改良制作方法，现在生产的人造钻石在外观上和天然钻石没有任何差异，由于生成环境的不同，人造钻石的的分子结构并不是天然钻石的完全八面体结构而是一种复杂结构，从而会产生磷光现象。随着人造钻石生产技术的成熟，其造价低廉，且可以制作出各种颜色的钻石而在珠宝市场上崭露头角。

CVD(Chemical Vapor Deposition化学气相沉积)金刚石。含碳气体和氧气的混合物在高温和低于标准大气压的压力下被激发分解，形成活性金刚石碳原子，并在基体上沉积交互生长成聚晶金刚石(或控制沉积生长条件沉积生长金刚石单晶或者准单晶)。

CVD金刚石是一种性能优异的高温、宽带隙半导体材料。其电子和空穴载流子迁移速率极高。CVD金刚石半导体其工作最高温度达到600℃以上，这是金刚石材料被定格的终极应用。CVD金刚石代替目前最广泛应用的锗、硅和砷化镓半导体材料，将成为半导体材料和技术发展的里程碑。目前CVD金刚石二极管、场效应三极管以及在恶劣环境下使用的多种光敏-压敏-热敏半导体器件已研制成功，并开始应用和进入市场。

由于CVD金刚石中不含任何金属催化剂，因此它的热稳定性接近天然金刚石。同高温高压人工合成聚晶金刚石一样，CVD金刚石晶粒也呈无序排列，无脆性解理面，因此呈现各向同性。CVD金刚石现在被用为刀具材料的一种。

目前，采用CVD金刚石膜片来对有色金属与非金属刀具在加工过程中，省时省力，工作效率高，质量好，但由于采用单一材质的CVD金刚石膜片进行切削，其硬度不高，导致CVD金刚石膜片受损。

实用新型内容

本实用新型为了解决上述问题，从而提供一种CVD金刚石膜片。

为达到上述目的，本实用新型的技术方案如下：

一种CVD金刚石膜片，所述CVD金刚石膜片由上而下依次包括第一硬质合金层、第一散热层、第一泡沫铝层、CVD金刚石层、第二散热层、第二泡沫铝层和第二硬质合金层，所述第一硬质合金层与第一散热层的接触面的中间部位上设有第一连接槽，所述第一散热层和第一泡沫铝层的中间部位分别设有相互连通的第一通孔和第二通孔，所述所述多晶金刚石层一侧的中间部位焊接有第一连接柱，所述多晶金刚石层另一侧的中间部位焊接有第二连接柱，所述第一连接柱可依次穿过第二通孔和第一通孔与第一连接槽配合连接，所述第二散热层和第二泡沫铝层的中间部位分别设有相互连通的第三通孔和第四通孔，所述第二硬质合金层与第二散热层的接触面的中间部位上设有第二连接槽，所述第二连接柱可依次穿过第四通孔和第三通孔与第二连接槽配合连接。

在本实用新型的一个优选实施例中所述第一连接柱与第一连接槽之间通过螺纹方式连接。

在本实用新型的一个优选实施例中所述第二连接柱与第二连接槽之间通过螺纹方式连接。

在本实用新型的一个优选实施例中所述第一散热层由铝合金或铜制成。

在本实用新型的一个优选实施例中所述第二散热层层由铝合金或铜制成。