[实用新型]一种Mini CaN LED外延垒晶晶片及芯片

说明书

本实用新型公开了一种Mini CaN LED外延垒晶晶片，包括：外延垒晶衬底、外延垒晶层，在外延垒晶衬底与外延垒晶层之间设有支撑LED外延结构的氮化镓平台支撑层，以此提高外延垒晶片的质量及后续外延垒晶晶片制备芯片过程中的良率。

技术领域

本实用新型涉及LED外延垒晶晶片及芯片。更具体地说，本实用新型涉及Mini CaNLED外延垒晶晶片及芯片。

背景技术

上个世纪50年代，第一种LED被研发出来后，由于其发光强度有限，仅被应用于仪器仪表的指示光源，在接下来这几十年内LED得到了迅猛发展，各种光色的LED被研发生产出来，LED的光效也逐步有了提高，随着全球能源短缺问题的日益凸显，社会各阶层对节能环保的LED光源在照明领域的应用越来越关注，在此过程中不负众望LED被逐步广泛使用在交通信号灯及大面积显示屏中，取得了喜人的社会效益及经济效益，使得大家对其在照明领域的应用的前景充满了期望，大量的资金、技术被投入到LED技术的研发过程中，LED技术的不断发展提升具备了取代白炽灯、钨丝灯及荧光灯等可能性，其在照明领域的领用也从过去室外景观、指示向室外照明、室内照明转化，随着2009年开始欧盟实施禁止白炽灯使用，节能议题被提到一个新阶层，使得节能环保LED在室内照明领域的应用更为迫切。

近来，在LED照明领域及显示器应用领域的巨大市场前景吸引下及政府部门的大力促成，各公司纷纷投入研发生产，LED成本的降低使LED在照明领域的应用越来越广泛，至2011年LED芯片从之前的供不应求迅速向供过于求转化，使得各公司不得不对LED芯片重新认识、整顿，在低成本的基础上，LED芯片必须向高质量、高光效的方向转变，使LED不但在照明领域有更好的前景，并且使其在显示器中的应用能越来越广泛，为提高显示器的显示效果，小尺寸LED芯片的研究开发得到了各LED公司的青睐，随即micro-LED、mini-LED孕育而生，提高LED芯片的质量至今仍是各大公司的研发热点。

发明内容

本实用新型的目的是提供一种新型Mini CaN LED外延垒晶晶片，一方面结构简单，另一方面提高了外延垒晶片的质量。

本实用新型另一个目的是提供一种新型Mini CaN LED芯片，结构简单、新颖，提高了良率。

为了实现本实用新型的目的和其它优点，提供了一种Mini CaN LED外延垒晶晶片，包括：外延垒晶衬底、外延垒晶层，在外延垒晶衬底与外延垒晶层之间设有支撑LED外延结构的氮化镓平台支撑层。

本实用新型所述的Mini CaN LED外延垒晶晶片，其中所述在外延垒晶衬底与外延垒晶层之间的氮化镓平台支撑层厚度为1µm——100µm之间。

本实用新型所述的Mini CaN LED外延垒晶晶片，其中所述在外延垒晶衬底与外延垒晶层之间的氮化镓平台支撑层厚度为20µm——50µm之间。

本实用新型所述的Mini CaN LED外延垒晶晶片，其中所述的外延垒晶衬底选自蓝宝石衬底、氮化铝衬底、氧化锌衬底、碳化硅衬底。

本实用新型所述的Mini CaN LED外延垒晶晶片制备的Mini CaN LED芯片，其中所述的芯片尺寸为W，芯片的高度为T，50µmW250µm，1W/T10。

本实用新型5所述的Mini CaN LED芯片，其中所述Mini CaN LED芯片的发光区为有形发光区。

本实用新型所述的Mini CaN LED芯片，其中所述的有形发光区包括：方形、六边形、圆形、边三角形。

本实用新型所述的Mini CaN LED芯片，其中所述的Mini CaN LED芯片为方形、正六边形、等边三角形，其中方形Mini CaN LED芯片的发光区包括：方形、六边形、圆形发光区；正六边形Mini CaN LED芯片的发光区为六边形；等边三角形LED芯片的发光区为三角形。