[实用新型]存储器及半导体器件

说明书

本实用新型提供一种存储器及半导体器件，所述存储器包括：多个存储单元、多条位线与多条字线，每一存储单元均包含在第一方向上彼此连接的一环栅晶体管与一电容器，以及多个存储单元呈阵列式排布，其中存储单元的阵列的行方向和第一方向构成一平面，存储单元的阵列的列方向垂直于平面，位线沿着行方向延伸，并且同一行中的多个环栅晶体管所对应的多个漏区连接至同一位线，字线沿着列方向延伸，并且同一列中的多个环栅晶体管的栅极连接至同一字线，在第一方向与行方向的尺寸受到限制的情况下，可以在列方向上不断叠加存储单元以提高存储单元的数量，从而增加存储器的集成度。

技术领域

本实用新型涉及集成电路设计与制造领域，特别涉及一种存储器及半导体器件。

背景技术

存储器通常包括多个存储单元，每个存储单元均包括存储电容器以及连接到所述存储电容器的存储晶体管，所述存储电容器用来存储代表存储信息的电荷。所述存储晶体管中形成有源区、漏区和栅极，所述栅极用于控制所述源区和漏区之间的电流流动，并连接至字线，所述漏区用于构成位线接触区，以连接至位线，所述源区用于构成存储节点接触区，以连接至存储电容器。

随着半导体制作工艺集成度的不断增加，在单位面积内制作更多的存储单元变得越来越困难，提升存储器的集成密度已成为一种趋势。

实用新型内容

本实用新型的主要目的在于提供一种存储器及半导体器件，增加存储器的集成度。

为实现上述目的，本实用新型提供一种存储器，包括：

多个存储单元，每一所述存储单元均包含在第一方向上彼此连接的一环栅晶体管与一电容器，以及多个所述存储单元呈阵列式排布，其中所述存储单元的阵列的行方向和所述第一方向构成一平面，所述存储单元的阵列的列方向垂直于所述平面；

多条位线，所述位线沿着所述行方向延伸，并且同一行中的多个所述环栅晶体管的漏区连接至同一所述位线；

多条字线，所述字线沿着所述列方向延伸，并且同一列中的多个所述环栅晶体管的栅极连接至同一所述字线。

可选的，在所述存储器中，所述环栅晶体管还包括沿所述第一方向延伸的沟道，位于所述沟道一侧的源区，所述漏区位于所述沟道的另一侧，所述栅极环绕所述沟道构成环栅，所述位线与所述漏区远离所述沟道的一侧相连接。

可选的，在所述存储器中，同一行中的多个所述环栅晶体管所对应的多个漏区相互连接并沿着所述行方向连续延伸。

可选的，在所述存储器中，所述环栅晶体管还包括连接部，所述连接部与所述源区远离所述沟道的一侧相连接，且所述连接部与所述电容器相连接。

可选的，在所述存储器中，所述电容器包含下电极板、介质层以及上电极板，所述下电极板呈U型并与所述连接部相连接。

可选的，在所述存储器中，所述下电极板与所述连接部远离所述源区的侧表面相连接，且所述下电极板还与所述连接部的顶表面相连接。

可选的，在所述存储器中，所有的所述电容器的所述上电极板远离所述环栅晶体管的一端均相互连接，且连接至一金属板。

可选的，在所述存储器中，所述金属板为钨板，所述介质层为包含氧化铝或氧化锆的介质层。

可选的，在所述存储器中，所述存储器还包括位于相邻所述电容器以及相邻所述环栅晶体管之间的绝缘层。

可选的，在所述存储器中，所述绝缘层的材质包含二氧化硅。

相应的，本实用新型还提供一种半导体器件，包括：

多个存储单元，每一所述存储单元均包含在第一方向上彼此连接的一环栅晶体管与一电容，以及多个所述存储单元呈阵列式排布，其中所述存储单元的阵列的行方向和所述第一方向构成一平面，所述存储单元的阵列的列方向垂直于所述平面；