[实用新型]一种场效应管的钝化层结构有效
| 申请号： | 201821429920.5 | 申请日： | 2018-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN208674124U | 公开（公告）日： | 2019-03-29 |
| 发明（设计）人： | 范捷;万立宏;王绍荣 | 申请（专利权）人： | 江苏丽隽功率半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L27/02 |
| 代理公司： | 无锡华源专利商标事务所(普通合伙) 32228 | 代理人： | 聂启新 |
| 地址： | 214067 江苏省无锡市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 钝化层 压焊点 终端区 元胞区 场效应管 终端钝化 终端 钝化区 效应管 元胞 源极 半导体技术领域 本实用新型 减小 可动 覆盖 焊接 离子 变更 释放 申请 | ||
【权利要求书】：
1.一种场效应管的钝化层结构，所述场效应管包括形成在衬底上的元胞区和终端区，所述终端区包围在所述元胞区的外围，其特征在于，所述钝化层包括：覆盖在所述元胞区表面的元胞钝化区，以及覆盖在所述终端区表面的终端钝化区，所述元胞钝化区在所述元胞区的栅极压焊点区域开设有第一刻开区、在所述元胞区的源极压焊点区域开设有第二刻开区，所述第一刻开区和所述第二刻开区用于将焊接在所述栅极压焊点区域和源极压焊点区域的引线引出，所述终端钝化区开设有至少一个终端刻开区，所述终端刻开区的宽度为1μm～20μm，各个所述终端刻开区的总面积小于所述终端区的总面积的一半。
2.根据权利要求1所述的钝化层结构，其特征在于，所述终端钝化区开设的终端刻开区包括连续结构的终端刻开区和/或非连续结构的终端刻开区，所述连续结构的终端刻开区是指围绕在所述元胞区的外围首尾相接形成环形结构的终端刻开区，所述非连续结构的终端刻开区是指围绕在所述元胞区的外围形成内部有开口的类环形结构的终端刻开区。
3.根据权利要求1或2所述的钝化层结构，其特征在于，所述终端刻开区的宽度为10μm。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于江苏丽隽功率半导体有限公司，未经江苏丽隽功率半导体有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201821429920.5/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种低压大电流功率VDMOS
- 下一篇：一种外延沟道超结VDMOS器件
- 同类专利
- 专利分类
