[实用新型]一种砷化镓微波集成电路脉冲调制电路

说明书

本实用新型公开了一种砷化镓微波集成电路脉冲调制电路，涉及脉冲调制电路技术领域，本实用新型包括MOSFET驱动器、与MOSFET驱动器的输入端连接的调制脉冲以及MOSFET管，所述MOSFET驱动器输出端内部设置有非电路，非电路的输出端直接与MOSFET管的栅极连接，并且还连接有上拉电阻R2，上拉电阻R2的另一端与MOSFET管的源极均连接有电源电压VDD，MOSFET管的漏极与功率放大模块连接，本实用新型的MOSFET管直接与MOSFET驱动器输出端内部的非电路连接，并且MOSFET管的栅极连接有上拉电阻R2，能够使MOSFET管的栅源电压V_GS随着调制脉冲的变化而快速改变，从而确保MOSFET管的导通和截止状态的快速转换，有效提高发射射频信号的关断比，提高功率放大模块的工作速度，确保功率放大模块的工作效率。

技术领域

本实用新型涉及脉冲调制电路技术领域，更具体的是涉及一种砷化镓微波集成电路脉冲调制电路。

背景技术

目前，雷达系统已广泛应用在国防和民用产品中，对人们日常生活产生深远的影响，脉冲功率放大器是雷达系统的关键模块，决定了整个系统的性能，它是指在控制信号的作用下输出间断射频信号的功率放大器，随着雷达、通信技术的不断提高，要求固态功放在脉冲工作状态时，具有高的发射射频信号的关断比和功放工作效率。

脉冲功率放大器电路中，脉冲调制器电路的输入脉冲信号包含高电平和低电平，当脉冲信号为高电平时，脉冲功率放大器处于发射状态；当脉冲信号为低电平时，脉冲功率放大器处于关闭状态，将功率放大器简化成一个场效应管，脉冲调制器的实现方式包括栅极调制和漏极调制。

在射频领域首先出现的是砷化镓微波单片集成电路，随着产品高功率和小型化的需求，近年来出现了氮化镓微波单片集成电路，而氮化镓MMIC的电源高达几十伏，砷化镓MMIC的工作电源只有几伏，现有的砷化镓脉冲调制电路中在MOSFET驱动器与MOSFET管之间连接有三极管以及电阻，当三极管导通后，电阻与MOSFET管的栅极和源极之间产生的寄生电容会充放电，而RC时间常数越大，开关时间就越慢，影响MOSFET管的导通与截止，导致发射射频信号关断比减小，影响功率放大模块的工作速度和工作效率。

实用新型内容

本实用新型的目的在于：为了解决现有的砷化镓脉冲调制电路中在MOSFET驱动器与MOSFET管之间连接有三极管以及电阻，三极管导通后，电阻与MOSFET管的栅极和源极之间产生的寄生电容会充放电，而RC时间常数越大，开关时间就越慢，影响MOSFET管的导通与截止，从而导致发射射频信号关断比减小的问题，本实用新型提供一种砷化镓微波集成电路脉冲调制电路。

本实用新型为了实现上述目的具体采用以下技术方案：

一种砷化镓微波集成电路脉冲调制电路，包括MOSFET驱动器、与MOSFET驱动器的输入端连接的调制脉冲以及与MOSFET驱动器的输出端连接的MOSFET管，其特征在于：所述MOSFET管的栅极直接与MOSFET驱动器的输出端连接，并且还连接有上拉电阻R2，上拉电阻R2的另一端与MOSFET管的源极均连接有电源电压VDD，MOSFET管的漏极与功率放大模块连接。

进一步的，所述MOSFET驱动器的型号为MIC4451YM，MOSFET驱动器的输入端2脚还连接有下拉电阻R1，下拉电阻R1的另一端接地，MOSFET驱动器的1脚与电源电压VDD连接，并且还连接有滤波电容C1，滤波电容C1的另一端接地，MOSFET驱动器的4脚和5脚接地。

进一步的，所述MOSFET管采用型号为Si4953ADY的P沟道MOSFET管。

进一步的，所述MOSFET管的源极连接有储能电容模块，所述储能电容模块包括一个或多个相互并联的多层瓷片电容。

本实用新型的工作原理为：