[实用新型]一种SIW平面滤波器

权利要求书

1.一种SIW平面滤波器，其特征在于：包括顶层金属箔（1）、介质板（2）和底部金属箔（3），所述顶层金属箔（1）、介质板（2）和底部金属箔（3）从上之下紧密贴合，所述顶层金属箔（1）的左侧边设有左端口微带引出线（4），右侧边设有右端口微带引出线（5）且左端口微带引出线（4）和右端口微带引出线（5）相对顶层金属箔（1）的水平中心线发生偏移，顶层金属箔（1）的左侧边开设有第一槽线（6）和第二槽线（7）且左端口微带引出线（4）位于第一槽线（6）和第二槽线（7）中间，顶层金属箔（1）的右侧边开设有第三槽线（8）和第四槽线（9）且右端口微带引出线（5）位于第三槽线（8）和第四槽线（9）中间，所述顶层金属箔（1）的四周设置有若干个第一金属过孔（10）且第一金属过孔（10）位于左端口微带引出线（4）和右端口微带引出线（5）的上下两侧，所述顶层金属箔（1）中心的左侧开设有左金属过孔（11）且中心的右侧开设有右金属过孔（12），所述左金属过孔（11）和右金属过孔（12）均位于顶层金属箔（1）的水平中心线上，所述顶层金属箔（1）的垂直中心线上的中部设有多个中金属过孔（13），所述顶层金属箔（1）的表面开设有左间隙凹槽（14）和右间隙凹槽（15），左间隙凹槽（14）位于左金属过孔（11）和第一槽线（6）之间，右间隙凹槽（15）位于右金属过孔（12）和第三槽线（8）之间，所述顶层金属箔（1）的表面开设有左上金属过孔（16）和右上金属过孔（17），左上金属过孔（16）位于第一槽线（6）的上方且位于左间隙凹槽（14）的左侧，右上金属过孔（17）位于第三槽线（8）的上方且位于右间隙凹槽（15）的右侧，所述第一金属过孔（10）、左金属过孔（11）、右金属过孔（12）、中金属过孔（13）、左上金属过孔（16）以及右上金属过孔（17）均贯穿于顶层金属箔（1）、介质板（2）和底部金属箔（3）。

2.根据权利要求1所述的SIW平面滤波器，其特征在于：所述左端口微带引出线（4）和右端口微带引出线（5）相对顶层金属箔（1）的垂直中心线对称布置，所述左金属过孔（11）和右金属过孔（12）相对顶层金属箔（1）的垂直中心线对称布置，所述左间隙凹槽（14）和右间隙凹槽（15）相对顶层金属箔（1）的垂直中心线对称布置，所述左上金属过孔（16）和右上金属过孔（17）相对顶层金属箔（1）的垂直中心线对称布置。

3.根据权利要求1所述的SIW平面滤波器，其特征在于：所述第一槽线（6）、第二槽线（7）、第三槽线（8）和第四槽线（9）的结构相同且均为L型，所述第一槽线（6）和第二槽线（7）相对水平方向对称布置，所述第三槽线（8）和第四槽线（9）相对水平方向对称布置。

4.根据权利要求2所述的SIW平面滤波器，其特征在于：所述左端口微带引出线（4）和右端口微带引出线（5）均连接有SMA接头。

5.根据权利要求4所述的SIW平面滤波器，其特征在于：所述左端口微带引出线（4）和右端口微带引出线（5）为50欧姆的SIW特性阻抗匹配微带线。

6.根据权利要求2所述的SIW平面滤波器，其特征在于：所述第一金属过孔（10）、左金属过孔（11）、右金属过孔（12）、中金属过孔（13）、左上金属过孔（16）以及右上金属过孔（17）均为圆形，且贯穿于顶层金属箔（1）、介质板（2）和底部金属箔（3）的孔内做金属化处理并与顶层金属箔（1）以及底部金属箔（3）相连接。

7.根据权利要求6所述的SIW平面滤波器，其特征在于：所述第一金属过孔（10）的直径为0.6mm，两个相邻的第一金属过孔（10）之间的圆心距为1mm，内部加载的左金属过孔（11）、右金属过孔（12）、中金属过孔（13）、左上金属过孔（16）以及右上金属过孔（17）的直径均为0.4mm，中金属过孔（13）有3个。