[实用新型]一种双叠层MOS-HEMT

权利要求书

1.一种双叠层MOS-HEMT，其特征在于，包括从下至上依次层叠设置的衬底、缓冲层以及GaN层，所述GaN层的上表面从左到右有依次设置有第一n型重参杂氮化镓层、AlGaN层、第二n型重参杂氮化镓层，所述第一n型重参杂氮化镓层的上表面设置有源极，所述第二n型重参杂氮化镓层的上表面设置有漏极，所述AlGaN层的上表面从下至上依次层叠设置有介电层和绝缘层，所述绝缘层上设有栅极，所述栅极贯穿绝缘层，并延伸至所述介电层，所述介电层为High-k材料。

2.根据权利要求1所述的双叠层MOS-HEMT，其特征在于，所述绝缘层的材料为SiN。

3.根据权利要求1所述的双叠层MOS-HEMT，其特征在于，所述介电层使用原子层沉积形成。

4.根据权利要求1或3所述的双叠层MOS-HEMT，其特征在于，所述介电层的材料为HfO₂、MgO、TiO₂、Ga₂O₃、旋涂式介电材料、拓扑绝缘体中的任意一种。

5.根据权利要求4所述的双叠层MOS-HEMT，其特征在于，所述缓冲层的材料为AlN或低温GaN。

6.根据权利要求4所述的双叠层MOS-HEMT，其特征在于，所述AlGaN层的厚度小于25nm。