[实用新型]浅沟槽隔离结构及半导体器件有效
| 申请号： | 201821445560.8 | 申请日： | 2018-09-04 |
| 公开（公告）号： | CN209401612U | 公开（公告）日： | 2019-09-17 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L21/764 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 智云 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 隔离结构 半导体器件 源区 浅沟槽隔离结构 气隙 本实用新型 介电常数 减小 界定 | ||
1.一种浅沟槽隔离结构，其特征在于，所述浅沟槽隔离结构形成于一衬底中并界定出多个有源区；
其中，所述浅沟槽隔离结构包括填充于一隔离沟槽中的发泡材料层，且所述发泡材料层中形成有多个气隙，且所述气隙的分布是有序均匀的。
2.一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件包括衬底及形成于所述衬底中的浅沟槽隔离结构，所述浅沟槽隔离结构界定出多个有源区；
其中，所述浅沟槽隔离结构包括填充于一隔离沟槽中的发泡材料层，且所述发泡材料层中形成有多个气隙，且所述气隙的分布是有序均匀的。
3.如权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件包括集成电路存储器，所述有源区用于构成所述集成电路存储器的存储单元。
4.如权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，所述有源区中还形成有栅极沟槽，一栅极结构形成于所述栅极沟槽中，所述栅极结构包括栅介质层、栅电极层及绝缘层，所述栅介质层形成于所述栅极沟槽的侧壁及底壁上，所述绝缘层及栅电极层分别填充所述栅极沟槽的上下两部分以共同将所述栅极沟槽填满。
5.如权利要求4所述的半导体器件，其特征在于，相邻的所述有源区中最接近的所述栅极结构之间的间隔尺寸介于30nm～50nm。
6.如权利要求4所述的半导体器件，其特征在于，所述有源区中形成有多个所述栅极结构时，同一个所述有源区中相邻的所述栅极结构之间的间隔尺寸介于15nm～25nm。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
