[实用新型]用于晶片劈裂工艺的分离设备

说明书

一种分离设备包括：一用以劈裂晶片的作用装置以及一用以感测该作用装置所产生的劈裂力度的感测装置，故通过该感测装置的配置，以于劈裂作业时，可依据该晶片表面的厚度变化，适时调整该作用装置的劈裂力度，以确保劈裂作业的每一个晶片的劈裂品质的一致性。

技术领域

本实用新型涉及一种分离设备，尤其涉及一种可用于半导体晶片劈裂制程的分离设备。

背景技术

现有半导体制程中，晶片于制造完成后，会进行薄化制程、切单制程、封装制程等，其中，切单制程的方式繁多，例如：激光切割、机械切割、劈裂分离等。

如图1及图2所示，现有劈裂式分离设备1包括：一机台本体(图略)、一设于该机台本体下侧的基座10、一设于该机台本体上侧的劈裂装置12、以及一设于该基座10上的贴膜13。

于进行劈裂作业时，先将一具有多个预切割道80的晶片8粘贴于该贴膜13上，再将该劈裂装置12的劈刀120对位于其中一预切割道80上，并利用该劈裂装置12的震动件121撞击(如箭头方向F)该劈刀120，使该劈刀120碰触该晶片8对应该预切割道80的背面位置A，以令该晶片8沿该预切割道80裂开(如裂痕S)。之后重复上述该劈裂装置12的劈裂步骤，以于该晶片8背面的直向与横向上劈裂各该预切割道80，使该晶片8分离成多个晶粒8a。

于劈裂作业中，现有分离设备1中，该劈裂装置12仅设有一种规格的劈刀120，并于劈裂前，通过影像采集方式判断该晶片8对应该预切割道 80的背面位置A(如图3所示的影像)，且由于现有晶片8表面并非相同水平，例如，其厚度呈中间厚且外围薄的型态，故于进行劈裂作业时，需先依据该晶片8的厚度变化调整该劈刀120相对该晶片8的高度位置(如箭头方向H)，该震动件121才会撞击该劈刀120。

然而，现有影像采集方式仅提供平面影像信息(如图3所示)，并无法描述该晶片8的厚度变化，致使于同一规格的劈刀120以相同劈裂力道进行劈裂作业时，仅能控制该劈刀120的高度位置以配合该晶片8的不同处进行劈裂作业，因而容易于该晶片8的部分位置发生晶粒8a破碎(该劈刀 120的下降距离过多致使劈裂力度过大)或未有效分离晶粒8a(该劈刀120 的下降距离过小致使劈裂力度过小或未接触该晶片8)的情况，故现有劈裂作业难以获得一致的劈裂品质。

因此，如何克服现有技术的问题，实为一重要课题。

实用新型内容

为解决上述现有技术的问题，本实用新型遂公开一种分离设备，可确保劈裂作业的每一个晶片的劈裂品质的一致性。

本实用新型的用于晶片劈裂工艺的分离设备，该分离设备包括：作用装置，其用以将一晶片分离出多个晶粒；以及感测装置，其用以感测该作用装置作用于该晶片上的作用力。

前述的分离设备中，该感测装置包含一荷重元。

前述的分离设备中，该感测装置设于该作用装置上。

前述的分离设备中，该感测装置与该作用装置分开配置。

前述的分离设备中，该作用装置具有刀具。前述的分离设备中，还包括基座，其位于该作用装置下方，以承载该晶片。

前述的分离设备中，该基座上设有一承载件，以承载该晶片。例如，该承载件为粘性片体。

本实用新型的分离设备中，主要通过该感测装置的配置，以感测该作用装置作用于例如晶片的目标物上的作用力，故相较于现有技术，本实用新型的分离设备应用于劈裂作业时，可依据该晶片表面的厚度变化，适时调整该作用装置的劈裂力度，以确保劈裂作业的每一个晶片的劈裂品质的一致性。

附图说明

图1为现有分离设备的剖面示意图。

图2为图1的局部放大示意图。