[实用新型]半导体存储器

权利要求书

1.一种半导体存储器，其特征在于，包括：

衬底，所述衬底中形成有沟槽隔离结构，并界定出多个有源区，所述有源区包括沿着第一方向延伸的第一延伸区和沿着第二方向延伸的第二延伸区，所述第一延伸区和所述第二延伸区的端部相互连接并构成一连接区，并且在所述第一延伸区远离所述连接区的衬底中形成有第一掺杂区，以及在所述第二延伸区远离所述连接区的衬底中形成有第二掺杂区；

多条位线，形成在所述衬底中并沿着所述第一方向延伸，并且所述位线至少部分形成在所述沟槽隔离结构中，并在垂直于位线延伸方向上还从所述沟槽隔离结构中横向扩展至所述第二延伸区，以使所述位线与所述第二掺杂区电性连接；以及，

多条字线，形成在所述衬底上并沿着所述第二方向延伸，所述字线覆盖所述有源区的所述连接区。

2.如权利要求1所述的半导体存储器，其特征在于，所述第二掺杂区从衬底顶表面向衬底内部延伸至所述衬底的第一深度位置，所述位线的顶部位于所述衬底第二深度位置，所述位线的底部位于所述衬底的第三深度位置，并且所述第一深度位置位于所述第二深度位置和所述第三深度位置之间，以使所述位线靠近顶部的部分与所述第二掺杂区电性连接，所述位线靠近底部的部分相对于所述第二掺杂区往远离所述衬底顶表面的方向延伸至更低的深度位置中。

3.如权利要求1所述的半导体存储器，其特征在于，所述第一延伸区垂直于所述第二延伸区，以使所述有源区呈L型结构。

4.如权利要求1所述的半导体存储器，其特征在于，所述衬底中形成有位线沟槽，所述位线沟槽至少部分形成在所述沟槽隔离结构中并沿着所述第一方向延伸，并且所述位线沟槽在垂直于第一方向上还从所述沟槽隔离结构中横向扩展至所述第二延伸区，以使所述第二掺杂区暴露于所述位线沟槽中；以及，所述位线填充在所述位线沟槽中，并与所述第二掺杂区电性连接。

5.如权利要求4所述的半导体存储器，其特征在于，所述位线的顶部位置低于所述位线沟槽的顶部位置，以界定出一容置空间在所述位线沟槽中并位于所述位线的上方；

其中，所述半导体存储器还包括隔离层，所述隔离层填充在所述位线沟槽的所述容置空间中，以覆盖所述位线。

6.如权利要求1所述的半导体存储器，其特征在于，还包括介质层，所述介质层覆盖所述连接区的衬底表面以及覆盖所述第二掺杂区的衬底表面；

其中，所述介质层中覆盖所述连接区的部分用于构成栅极介质层，所述字线中覆盖所述连接区的部分形成在所述栅极介质层上并用于构成栅极导电层，以及所述介质层中覆盖所述第二掺杂区的部分用于构成间隔绝缘层，用于隔离所述字线和所述第二掺杂区。

7.如权利要求1所述的半导体存储器，其特征在于，所述衬底上具有多个所述有源区，多个所述有源区沿着所述第一方向和所述第二方向呈阵列式排布；

其中，沿着所述第一方向排布在同一列上的多个有源区中的第二掺杂区连接至同一位线，以及沿着所述第二方向排布在同一行上的多个有源区中的连接区被同一字线覆盖。

8.如权利要求1所述的半导体存储器，其特征在于，还包括：

存储电容器，形成在所述衬底的所述第一掺杂区上并与所述第一掺杂区电性连接。

9.如权利要求1～8任一项所述的半导体存储器，其特征在于，所述半导体存储器包括存储阵列区和位于所述存储阵列区外围的周边区，所述有源区位于所述存储阵列区中，以及在所述周边区中还形成有周边晶体管，所述周边晶体管的栅极导电层与所述位线位于同一结构层中。