[实用新型]互连结构及半导体器件有效
| 申请号： | 201821451843.3 | 申请日： | 2018-09-05 |
| 公开（公告）号： | CN208655631U | 公开（公告）日： | 2019-03-26 |
| 发明（设计）人： | 吴双双 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/532 | 分类号： | H01L23/532;H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 智云 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 第一层 介质层 低介电常数介质层 金属互连线 互连结构 半导体器件 寄生电容 空气隙 基底 绝缘层 本实用新型 绝缘层覆盖 介电常数 相邻金属 互连线 侧壁 减小 界定 填充 遮盖 贯穿 | ||
1.一种互连结构，其特征在于，包括：
基底；
第一层间介质层，位于所述基底上，且所述第一层间介质层内形成有多个贯穿所述第一层间介质层的凹槽；
金属互连线，填充于所述第一层间介质层的所述凹槽内；
低介电常数介质层，位于所述金属互连线的侧壁上，并且所述低介电常数介质层和所述第一层间介质层之间间隔有一间隙；以及，
绝缘层，覆盖所述第一层间介质层、所述金属互连线与所述低介电常数介质层，并遮盖所述间隙的顶部，以界定出空气隙在所述低介电常数介质层和所述第一层间介质层之间。
2.如权利要求1所述的互连结构，其特征在于，还包括阻挡层，位于所述金属互连线的侧壁及底部，且所述金属互连线侧壁上的所述阻挡层位于所述金属互连线与所述低介电常数介质层之间。
3.如权利要求2所述的互连结构，其特征在于，还包括：第二层间介质层与导电插塞，所述第二层间介质层位于所述基底与所述第一层间介质层之间，且在所述第二层间介质层内形成有暴露所述基底的通孔，所述导电插塞位于所述通孔内，所述金属互连线与所述导电插塞相连接。
4.如权利要求2所述的互连结构，其特征在于，还包括：第二层间介质层，所述第二层间介质层位于所述基底与所述第一层间介质层之间，且在所述第二层间介质层内形成有暴露所述基底的通孔，所述金属互连线填充于所述通孔内，并且所述金属互连线和所述第二层间介质层之间间隔有一间隙。
5.一种半导体器件，其特征在于，包括：
基底；
第一层间介质层，位于所述基底上，且所述第一层间介质层内形成有多个贯穿所述第一层间介质层的凹槽；
金属互连线，填充于所述第一层间介质层的所述凹槽内；
低介电常数介质层，位于所述金属互连线的侧壁上，并且所述低介电常数介质层和所述第一层间介质层之间间隔有一间隙；以及，
绝缘层，覆盖所述第一层间介质层、所述金属互连线与所述低介电常数介质层，并遮盖所述间隙的顶部，以界定出空气隙在所述低介电常数介质层和所述第一层间介质层之间。
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