[实用新型]3D-NAND闪存

权利要求书

1.一种3D-NAND闪存，其特征在于，包括：

半导体衬底；

位于所述半导体衬底上的堆叠结构，所述堆叠结构包括交错层叠的若干层绝缘层和若干层导电层；

贯穿所述堆叠结构的沟道结构，所述沟道结构包括高K栅介质层和沟道牺牲层，所述高K栅介质层在垂直于半导体衬底的方向上连续分布，沟道牺牲层位于所述高K栅介质层和所述绝缘层之间，且沟道牺牲层在垂直于所述半导体衬底的方向上被所述导电层隔断。

2.根据权利要求1所述的3D-NAND闪存，其特征在于，所述沟道牺牲层和所述高K栅介质层的总厚度为第一尺寸；所述沟道结构在具有沟道牺牲层和高K栅介质层的位置处对应的直径为第二尺寸，第一尺寸为第二尺寸的2％～30％。

3.根据权利要求2所述的3D-NAND闪存，其特征在于，所述第二尺寸为50纳米～500纳米；所述沟道牺牲层的厚度为1纳米～50纳米，所述高K栅介质层的厚度为1纳米～50纳米。

4.根据权利要求1所述的3D-NAND闪存，其特征在于，所述沟道结构还包括沟道复合层，所述沟道复合层位于所述高K栅介质层的表面，且所述高K栅介质层位于所述沟道牺牲层和所述沟道复合层之间。

5.根据权利要求4所述的3D-NAND闪存，其特征在于，所述沟道复合层包括位于所述高K栅介质层表面的本征栅介质层和位于所述本征栅介质层表面的沟道层；所述本征栅介质层包括阻挡介质层、捕获电荷层和隧穿介质层，所述阻挡介质层、捕获电荷层和隧穿介质层在垂直于沟道结构侧壁且自沟道结构外至沟道结构内的方向上依次层叠。

6.根据权利要求1所述的3D-NAND闪存，其特征在于，还包括：位于所述沟道结构和所述半导体衬底之间的衬底延伸层。

7.根据权利要求6所述的3D-NAND闪存，其特征在于，所述沟道牺牲层还位于所述衬底延伸层的部分表面；所述衬底延伸层部分表面的沟道牺牲层和所述沟道结构侧部底层的沟道牺牲层连接且呈“L”形。