[实用新型]电可擦除可编程非易失性存储器器件和电子设备

权利要求书

1.一种电可擦除可编程非易失性存储器器件，在半导体衬底的表面处形成，其特征在于，所述存储器器件包括：

多个位线；

多个源极线；以及

存储器平面，包括多个存储器单元，每个存储器单元包括具有源极区域、漏极区域、控制栅极和浮置栅极的状态晶体管，每个存储器单元还包括具有源极区域、漏极区域和栅极的访问晶体管；

其中每个访问晶体管的源极区域耦合到所述多个源极线中的源极线；

其中所述访问晶体管的漏极区域和所述状态晶体管的源极区域是共同的；

其中每个状态晶体管的漏极区域耦合到所述多个位线中的位线；并且

其中每个存储器单元的浮置栅极覆盖介电层，所述介电层具有第一部分和第二部分，所述第一部分具有第一厚度，所述第二部分具有小于所述第一厚度的第二厚度，所述第二部分位于所述状态晶体管的源极区域侧。

2.根据权利要求1所述的电可擦除可编程非易失性存储器器件，其特征在于，其中所述介电层包括另外的第三部分，所述第三部分延伸超出所述浮置栅极，位于所述状态晶体管的源极区域之上，并且具有等于所述第二厚度的厚度。

3.根据权利要求1所述的电可擦除可编程非易失性存储器器件，其特征在于，进一步包括擦除电路，所述擦除电路在擦除期间被配置为：向所述状态晶体管的控制栅极传输擦除电压，以便将所述状态晶体管设置在导通状态。

4.根据权利要求3所述的电可擦除可编程非易失性存储器器件，其特征在于，其中所述擦除电路在擦除期间被配置为：向所述访问晶体管的栅极传输零电压，以便指令所述访问晶体管呈现关断状态。

5.根据权利要求1所述的电可擦除可编程非易失性存储器器件，其特征在于，包括编程电路，所述编程电路在编程操作期间被配置为：向所述状态晶体管的控制栅极传输编程电压，并且同时通过耦合到所述状态晶体管的漏极区域的位线传输编程禁止电压，以使得所述状态晶体管不被设置在关断状态，或者传输编程允许电压以便将所述状态晶体管设置在关断状态。

6.根据权利要求5所述的电可擦除可编程非易失性存储器器件，其特征在于，其中所述编程电路在编程操作期间被配置为：向所述访问晶体管的栅极传输零电压，以便指令所述访问晶体管呈现关断状态。

7.根据权利要求1所述的电可擦除可编程非易失性存储器器件，其特征在于，其中根据与所述状态晶体管的面向所述介电层定位的部分的结构同源的结构，每个访问晶体管包括叠加的第一栅极和第二栅极，所述第一栅极和所述第二栅极被电连接。

8.根据权利要求1所述的电可擦除可编程非易失性存储器器件，其特征在于，其中每个访问晶体管包括竖直栅极，所述竖直栅极包括由沟槽中的绝缘包围部包围的导电中心部分，所述访问晶体管的源极区域和漏极区域位于所述衬底的表面处的所述竖直栅极的任一侧。

9.根据权利要求1所述的电可擦除可编程非易失性存储器器件，其特征在于，其中每个访问晶体管包括竖直栅极，所述竖直栅极包括由沟槽中的绝缘包围部包围的导电中心部分，所述访问晶体管的漏极区域位于所述衬底的表面处，并且所述访问晶体管的源极区域位于隐埋层中，所述隐埋层隐埋在所述衬底中的深处，所述隐埋层形成对应的源极线。

10.根据权利要求1所述的电可擦除可编程非易失性存储器器件，其特征在于，其中每个状态晶体管包括电容性注入区域，所述电容性注入区域位于所述介电层的第二部分之下和所述介电层的第一部分的一部分之下。